Toshiba liefert ab sofort Samples von 64-Layer-3-D-Flashspeicher mit 512 Gigabit aus

Erweiterung der Produktpalette um „BiCS FLASH“-Chip mit der größten Speicherkapazität

Tokio, Japan, 22. Februar 2017

Die Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) hat heute die jüngste Erweiterung ihrer branchenführenden Reihe dreidimensionaler „BiCS FLASH“-Flashspeichermedien mit gestapelter Zellstruktur[1] vorgestellt, ein 64-Layer-Speichermodul, das durch TLC-Technologie (Triple Level Cell, 3 Bit pro Zelle) eine Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) erreicht. Das neue Speichergerät wird in Anwendungsbereichen wie Enterprise- und Verbraucher-SSDs zum Einsatz kommen. Mit der Auslieferung von Chip-Samples wurde Anfang des Monats begonnen, die Serienproduktion ist für die zweite Hälfte dieses Kalenderjahres anberaumt.

Toshiba arbeitet weiterhin an der Optimierung von BiCS FLASH. Den nächsten Meilenstein auf der Entwicklungsroadmap stellt das Erreichen der branchenweit höchsten Kapazität[2] dar, wozu ein Single-Package-Produkt mit 1 Terabyte und 16-Die-Stapelarchitektur realisiert werden soll. Die ersten Sample-Auslieferungen sind für April 2017 vorgesehen.

Für das neue 512-Gigabit-Speichermodul setzte Toshiba ein hochmodernes 64-Layer-Stapelverfahren ein, um eine 65 % höhere Speicherkapazität pro Chipeinheit im Vergleich zu 48-Layer-Speichergeräten mit 256 Gigabit (32 Gigabyte) zu erzielen. Zudem wurde die Speicherkapazität pro Siliziumwafer erhöht, wodurch die Kosten pro Bit gesenkt werden konnten.

Toshiba stellt im Rahmen seines Speichergeschäfts bereits 64-Layer-Speichermodule mit 256 Gigabit (32 Gigabyte) in Serienproduktion her und wird die „BiCS FLASH“-Fertigung künftig weiter aufstocken. Das Unternehmen setzt darauf, die 3-D-Technologie voranzutreiben, um höhere Dichten und optimierte Prozesse zu realisieren, und somit den verändernden Marktbedürfnissen gerecht werden kann.

Anmerkungen:

[1] Eine Struktur, bei der Flashspeicherzellen vertikal auf einem Siliziumsubstrat gestapelt werden, um signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Dichte im Vergleich zu planaren NAND-Flashspeichern zu erzielen, bei welchen die Zellen auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden.
[2] Stand: 22. Februar 2017. Untersuchung von Toshiba.


BiCS FLASH ist eine Marke der Toshiba Corporation.