Toshiba Memory kündigt 96-Layer-3-D-Flashspeicher an

Die vierte Generation von „BiCS FLASH“ der Toshiba Memory Corporation fügt weitere Layer hinzu und steigert die Kapazität

Düsseldorf, Deutschland, 28. Juni 2017

Die Toshiba Memory Corporation, der weltweit führende Anbieter von Speicherlösungen, gab heute bekannt, dass das Unternehmen einen Prototypen eines dreidimensionalen (3-D) 96-Layer-„BiCS FLASH“-Flashspeichers mit gestapelter Struktur[1] und TLC-Technologie (Triple Level Cell, 3 Bit pro Zelle) entwickelt hat. Die Samples des neuen 96-Layer-Produkts, bei dem es sich um ein Speichermodul mit 256 Gigabit (32 Gigabyte) handelt, sollen in der zweiten Hälfte des Jahres 2017 ausgegeben werden, der Start der Serienproduktion ist für 2018 anberaumt. Das neue Speichergerät erfüllt die Marktanforderungen und Leistungsspezifikationen für Anwendungen wie Enterprise- und Verbraucher-SSDs, Smartphones, Tablets und Speicherkarten.
 

In naher Zukunft wird die Toshiba Memory Corporation ihre neue 96-Layer-Prozesstechnologie auch auf Produkte mit höherer Speicherkapazität anwenden. Dazu zählen etwa solche mit 512 Gigabit (64 Gigabyte) und QLC-Technologie (Quadruple Level Cell, 4 Bit pro Zelle).
 

Der innovative 96-Layer-Stapelprozess wird mit fortschrittlicher Schaltungstechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert, um eine Kapazitätssteigerung von etwa 40 % pro Chipeinheit im Vergleich zum 64-Layer-Stapelprozess zu erzielen. Er reduziert die Kosten pro Bit und steigert die mögliche Speicherkapazität pro Siliziumwafer.
 

Seit der Ankündigung des weltweit ersten[2] Prototyps der 3-D-Flashspeichertechnologie im Jahr 2007 treibt die Toshiba Memory Corporation die Entwicklung von 3-D-Flashspeicher weiter voran und fördert BiCS FLASH aktiv, um die Nachfrage nach größeren Kapazitäten bei kleineren Chipgrößen zu erfüllen.
 

Dieser 96-Layer-„BiCS FLASH“-Speicher wird künftig in Yokkaichi in der Fabrik 5, der neuen Fabrik 2 sowie der Fabrik 6, die im Sommer 2018 eröffnet wird, hergestellt.
 

Anmerkungen:
 

[1] Eine Struktur, bei der Flashspeicherzellen vertikal auf einem Siliziumsubstrat gestapelt werden, um signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Dichte im Vergleich zu planaren NAND-Flashspeichern zu erzielen, bei welchen die Zellen eben auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden.

[2] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 12. Juni 2007.
 

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