Toshiba Memory entwickelt den weltweit ersten 3-D-Flashspeicher mit TSV-Technologie

Erzielt hohe Dateneingabe- und Datenausgabegeschwindigkeiten bei geringem Stromverbrauch und hoher Kapazität

Düsseldorf, Deutschland, 11. Juli 2017

Die Toshiba Memory Corporation, der weltweit führende Anbieter von Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung des weltweit ersten[1] dreidimensionalen (3-D) „BiCS FLASH“-Flashspeichers[2] mit TSV-Technologie („Through Silicon Via“, Siliziumdurchkontaktierung)[3] sowie TLC-Technologie (3 Bit pro Zelle) bekannt. Die Auslieferung von Prototypen zu Entwicklungszwecken begann im Juni, Produktmuster werden voraussichtlich in der zweiten Hälfte des Jahres 2017 ausgegeben. Der Prototyp dieses bahnbrechenden Speichergeräts wird vom 7. bis 10. August 2017 auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, Vereinigte Staaten, vorgestellt.

Speichermodule, die unter Verwendung der TSV-Technologie hergestellt werden, verfügen über vertikale Elektroden und Kontaktierungen, die zur Herstellung von Verbindungen durch Siliziumdies führen. Weiterhin ermöglicht die Architektur derartiger Module die Dateneingabe und -ausgabe mit hohen Geschwindigkeiten bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs. Die reale Performance wurde bereits früher mit der Einführung des 2-D-NAND-Flashspeichers von Toshiba unter Beweis gestellt.[4]
 

Durch die Kombination eines 48-Layer-3-D-Flashverfahrens mit der TSV-Technologie konnte die Toshiba Memory Corporation die Bandbreite der Produktprogrammierung erfolgreich erhöhen und zugleich einen niedrigen Stromverbrauch erzielen. Die Energieeffizienz[5] eines einzelnen Packages ist etwa doppelt so hoch[6] wie jene eines „BiCS FLASH“-Speichers derselben Generation, der unter Verwendung der Draht-Bonding-Technologie hergestellt wurde. TSV-„BiCS FLASH“ ermöglicht darüber hinaus durch eine 16-Die-Stapelarchitektur Speichermodule mit 1 Terabyte (TB) in einem einzigen Package.
 

Die Toshiba Memory Corporation wird BiCS FLASH mit TSV-Technologie auf den Markt bringen, um eine ideale Lösung für Speicheranwendungen anzubieten, die eine geringe Latenzzeit, eine hohe Bandbreite und ein möglichst günstiges Verhältnis von IOPS[7]/Watt erfordern. Hierzu zählen mitunter High-End-Enterprise-SSDs.
 

Allgemeine Spezifikationen (Prototyp)
 

Package-Typ

NAND Dual x8 BGA-152

Speicherkapazität

512 GB

1 TB

Stapelanzahl

8

16

Außenabmessungen

B

14 mm

14 mm

T

18 mm

18 mm

H

1,35 mm

1,85 mm

Schnittstelle

Toggle-DDR

Schnittstelle max. Geschwindigkeit

1.066 Mbps

Anmerkungen:
 

[1] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 11. Juli 2017.

[2] Eine Struktur, bei der Flashspeicherzellen vertikal auf einem Siliziumsubstrat gestapelt werden, um signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Dichte im Vergleich zu planaren NAND-Flashspeichern zu erzielen, bei welchen die Zellen eben auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden.

[3] „Through Silicon Via“ (Siliziumdurchkontaktierung): die Technologie, bei der vertikale Elektroden sowie Kontaktierungen eingesetzt werden, die zur Verbindungsherstellung in einem einzelnen Package durch Siliziumdies geführt werden.

[4] „Toshiba entwickelt den weltweit ersten gestapelten 16-Die-NAND-Flashspeicher mit TSV-Technologie“

http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html

[5] Die Datenübertragungsrate pro Leistungseinheit. (MB/s/W)

[6] Im Vergleich zu aktuellen Produkten der Toshiba Memory Corporation.

[7] Input Output per Second: Die Anzahl der Dateneingaben und -ausgaben zur Verarbeitung durch einen I/O-Port pro Sekunde. Je höher der Wert, desto besser die Leistung.