Toshiba Memory stellt den branchenweit ersten UFS-3.0-Embedded-Flashspeicher vor

Bietet die erforderliche bessere Performance für die kontinuierliche Weiterentwicklung von Smartphones, Tablets, Augmented- und Virtual-Reality-Anwendungen usw.

Düsseldorf, Deutschland, 23. Januar 2019

JEDEC e-MMC Ver. 5.1

 

Die Toshiba Memory Europe GmbH (TME) bietet ab sofort Samples der 128-GB[1]-Version des branchenweit ersten „Universal Flash Storage“- 3.0-Embedded-Flashspeichers an. Die neue Produktreihe setzt auf den hochmodernen 96-Layer-„BiCS FLASH“-3-D-Flashspeicher des Unternehmens und ist in drei Speicherkapazitäten erhältlich: 128 GB, 256 GB und 512 GB[2]. Mit ihren hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie ihrem geringen Stromverbrauch eignen sich die Speichermodule ideal für den Einsatz in Mobilgeräten, Smartphones, Tablets und Augmented-/Virtual-Reality-Systemen.

Verbraucher verlangen nach immer leistungsfähigeren Geräten und einer verbesserten Anwendererfahrung. Der UFS-Standard wird konsequent weiterentwickelt, um diesen Forderungen gerecht zu werden.

Durch die serielle Schnittstelle unterstützt UFS das Vollduplexverfahren, wodurch das gleichzeitige Lesen und Schreiben zwischen dem Hostprozessor und dem UFS-Modul ermöglicht wird. Mit der Einführung von UFS 3.0 hat die JEDEC, weltweit führend bei der Entwicklung von Standards für die Mikroelektronikbranche, frühere Versionen des UFS-Standards verbessert, um Produktentwicklern dabei zu helfen, erhebliche Verbesserungen bei Mobilgeräten und ähnlichen Anwendungen zu erzielen.

Die neuen Speichermodule verwenden 96-Layer-„BiCS FLASH“-3-D-Flashspeicher und einen Controller im JEDEC-Standardpackage mit den Abmessungen von 11,5 mm x 13 mm. Der Controller führt Fehlerkorrekturen, Wear Leveling, die Umwandlung von logischen in physische Adressen sowie Bad-Block-Management durch, um die Systementwicklung zu vereinfachen.

Alle drei Varianten entsprechen der JEDEC-UFS-Version 3.0, einschließlich HS-GEAR4, die eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 11,6 Gigabits pro Sekunde pro Lane (x2 Lanes = 23,2 Gpbs) bietet und zugleich Funktionen unterstützt, die den Anstieg des Stromverbrauchs unterbinden. Die sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit des 512-GB-Speichers wurde gegenüber der vorherigen Generation des 256-GB-Speichers von Toshiba um rund 70 bis 80 % verbessert.

Toshiba war das erste Unternehmen, das UFS-Speicher eingeführt hat und liefert diesen seit 2013 aus. Mit der Veröffentlichung dieser UFS- 3.0-Speichermodule behält Toshiba seine führende Rolle im Speichersegment für Mobilgeräte der nächsten Generation bei. Das Unternehmen wird den Fortschritt diesbezüglich weiterhin konsequent vorantreiben.

Samples der neuen Speichergeräte werden auf der embedded world 2019 (26.–28. Februar in Nürnberg, Deutschland) am Stand von Toshiba (Halle 3A, 424) vorgestellt.

Anmerkungen:

[1] Samples der 128-GB-Speichermodule sind ab sofort erhältlich; die anderen Varianten folgen schrittweise ab März. Die Spezifikation der Samples kann von der von kommerziellen Produkten abweichen.

[2] Die Produktdichte wird auf Basis der Dichte des/der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den einschlägigen Produktspezifikationen. Definition von 1 GB = 230 Byte = 1.073.741.824 Byte.

 

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Über Toshiba Memory Europe GmbH

Wir, die Toshiba Memory Europe GmbH, sind der europäische Ableger der Toshiba Memory Corporation. Unser Unternehmen bietet neben Solid-State-Laufwerken (SSDs) eine breite Palette an Flashspeicherprodukten, darunter SD-Karten, USB-Flashlaufwerke und eingebettete Speicherkomponenten. Unser Unternehmen unterhält Niederlassungen in Deutschland, Frankreich, Spanien, Schweden und dem Vereinigten Königreich. Masaru Takeuchi ist Präsident des Unternehmens.