Toshiba Memory stellt XL-FLASH-Lösung für Massenspeicher vor

NAND mit der höchsten verfügbaren Performance reduziert darüber hinaus kosteneffektiv die Latenz

Düsseldorf, Deutschland, 5. August 2019

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Die Toshiba Memory Europe GmbH (TME) kündigte heute die Markteinführung einer neuartigen Massenspeicherlösung (Storage Class Memory, SCM) an: XL-FLASH. Basierend auf der innovativen „BiCS FLASH“-3-D-Flashspeichertechnologie von Toshiba mit SLC (Single Level Cell, 1 Bit pro Zelle) ermöglicht XL-FLASH niedrige Latenz und hohe Performance für Datenzentren und Enterprise-Speicher.

Klassifiziert als SCM (oder persistenter Speicher) verfügt XL-FLASH über die Fähigkeit, seine Speicherinhalte ähnlich wie NAND-Flash dauerhaft zu erhalten, und überbrückt so die bestehende Performancelücke zwischen DRAM und NAND. Zwar bieten nichtflüchtige Speicherlösungen wie DRAM den für anspruchsvolle Anwendungen notwendigen schnellen Zugriff, doch diese Performance hat auch ihren Preis.

 

Die Vorteile von DRAM hinsichtlich der Kosten pro Bit und bezüglich der Skalierbarkeit werden geringer. Der neue SCM-Layer in der Speicherhierarchie löst dieses Problem mit einem besonders dichten und kosteneffektiven, nichtflüchtigen NAND-Flashspeicher. Die Lösung lässt ein starkes Wachstum erwarten: So schätzt der Industrieanalyst IDC, dass der SCM-Markt im Jahr 2022[1] ein Volumen von 3 Mrd. US-Dollar überschreiten wird.

 

Positioniert zwischen DRAM und NAND-Flash ermöglicht XL-FLASH höhere Geschwindigkeit, reduzierte Latenz und größere Speicherkapazitäten – zu geringeren Kosten als traditioneller DRAM. XL-FLASH wird zunächst im SSD-Format verwendet, doch lässt sich prinzipiell auch in Speichermodulen nutzen, die in den DRAM-Bus eingesetzt werden. Dazu zählt etwa der künftige Industriestandard NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module).

Hauptmerkmale:
 

  • Die mit 128 Gigabit (Gb) (im 2-Die-, 4-Die- oder 8-Die-Package)
  • Page Size von 4 kB für effizienteres Lesen und Schreiben des Betriebssystems
  • 16-Ebenen-Architektur für effizientere Parallelität
  • Kurze Page-Read- und Programmierzeiten – XL-FLASH bietet eine niedrige Leselatenz (<5 μs) als existierende TLCs[2] und ist damit etwa zehnmal schneller als diese


Als der Erfinder des NAND-Flash und als erster Anbieter, der eine 3-D-Flashspeichertechnologie angekündigt hat, sowie als ein Marktführer bei Prozessmigrationen ist Toshiba Memory ideal positioniert, um ein SLC-basiertes SCM mit ausgereifter Fertigungsgrundlage, erprobter Skalierbarkeit und zeitlich bewährter SLC-Zuverlässigkeit zu liefern.

„Dank unserer ‚BiCS FLASH‘-Technologie ist XL-FLASH das NAND mit der höchsten verfügbaren Performance im SLC-Modus“, bemerkt Axel Stoermann, Vice President der Toshiba Memory Europe GmbH. „Da wir nur ein Bit pro Zelle abspeichern, können wir die Leistung erheblich steigern. Da XL-FLASH zudem auf bewährten Technologien basiert, die wir bereits in großem Umfang fertigen, können unsere Kunden ihre Markteinführungszeiten durch den Einsatz von XL-FLASH als Massenspeicherlösung beschleunigen.“

Die Auslieferung der Samples beginnt im September 2019, der Anlauf der Serienfertigung wird für 2020 erwartet.

Anmerkungen:

[1] IDC Mai 2019 – Worldwide Solid State Drive Forecast, 2019–2023, Dokument-Nr. US43828819

[2] Im Vergleich zum TLC-NAND von TMC mit einer Leselatenz von etwa 50 Mikrosekunden.

Die Angabe der höchsten verfügbaren NAND-Performance basiert auf der Tatsache, dass die Dies spezifisch ausgelegt wurden (16 Ebenen), um eine höhere Performance als TLC-NAND zu erzielen.

Alle Firmen-, Produkt- und Servicenamen können Marken der jeweiligen Unternehmen sein.

Für jede Erwähnung eines Produkts von Toshiba Memory gilt: Die Produktdichte wird auf Basis der Dichte des/der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den einschlägigen Produktspezifikationen. Definition von 1 Gb = 2^30 Bit = 1.073.741.824 Bit. Definition von 1 GB = 2^30 Byte = 1.073.741.824 Byte. Definition von 1 KB = 2^10 Byte = 1.024 Byte.


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Über Toshiba Memory Europe GmbH

Wir, die Toshiba Memory Europe GmbH, sind der europäische Ableger der Toshiba Memory Corporation. Unser Unternehmen bietet neben Solid-State-Laufwerken (SSDs) eine breite Palette an Flashspeicherprodukten, darunter SD-Karten, USB-Flashlaufwerke und eingebettete Speicherkomponenten. Unser Unternehmen unterhält Niederlassungen in Deutschland, Frankreich, Spanien, Schweden und dem Vereinigten Königreich. Masaru Takeuchi ist Präsident des Unternehmens.

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