Toshiba Memory stellt neuen Serial-Interface-NAND vor

NAND-Produkte der zweiten Generation unterstützen Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen und steigern Leistung sowie Kapazität für eingebettete Anwendungen

Düsseldorf, Deutschland, 26. September 2019

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Die Toshiba Memory Europe GmbH (TME) gab heute die Markteinführung ihrer zweiten Generation von NAND-Flashspeicherprodukten für eingebettete Anwendungen bekannt, die mehr Leistung und eine höhere Kapazität bieten[1]. Die neuen Serial-Interface-NAND-Produkte unterstützen Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen und sind mit der weitverbreiteten seriellen Peripherieschnittstelle (Serial Peripheral Interface, SPI) kompatibel. Sie eignen sich für eine Vielzahl von Verbraucher-, Industrie- und Kommunikationsanwendungen. Muster werden ab heute ausgeliefert, der Start der Serienproduktion ist für Oktober anberaumt.

Da die Speichermodule in IoT- und Kommunikationsanwendungen immer weiter schrumpfen, steigt die Nachfrage nach Flashspeicher mit hoher Kapazität in kleinen Packages an, die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen bei niedriger Pinzahl bewältigen können. Dank Kompatibilität mit der weitverbreiteten SPI können die Serial-Interface-NAND-Produkte als SLC-NAND-Flashspeicherprodukte mit geringer Pinzahl und hoher Kapazität in einem kleinen Package eingesetzt werden.

Um Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen zu unterstützen, bieten die neuen Serial-Interface-NAND-Produkte der zweiten Generation eine verbesserte Leistung im Vergleich zu jenen der ersten[1]. Zu den Optimierungen zählen etwa eine Betriebsfrequenz von 133 Megahertz (MHz) und der x4-Programmierungsmodus. Außerdem wurde die Produktreihe um ein Speichermodul mit 8 Gigabit[2] (1 Gigabyte[2]) erweitert, um auf die Nachfrage nach einer höheren Speicherkapazität zu reagieren. Die gesamte Produktpalette wird in einem 8-Pin-WSON[3]-Package mit Abmessungen von 6 x 8 mm angeboten.

Hauptmerkmale:
 

  • Speicherkapazitäten von 1 bis 8 Gigabit (Gb)
  • Page Size von 2 kB (1/2 Gb) und 4 kB (4/8 Gb) für effizienteres Lesen und Schreiben des Betriebssystems
  • x4-Programmierungs- und x4-Lesemodus für Hochgeschwindigkeitsprogrammierung und -zugriff
  • ECC und Datenschutz erkennen Bit Flips und bieten Schutz für definierte Blöcke
  • „Parameter Page“-Funktion für detaillierte Angaben zum Speichermodul

 

„Vor dem Hintergrund der wachsenden Komplexität und Größe von eingebetteten Anwendungen bietet diese neue Produktreihe von Hochgeschwindigkeits-Serial-NAND-Flash den Entwicklern die erforderliche Performance und Flexibilität“, kommentiert Axel Stoermann, Vice President, Toshiba Memory Europe GmbH, die Neuveröffentlichung. „Indem sie auf Toshiba – den Erfinder des NAND-Flash und einen führenden Anbieter von 3-D-Flashspeichertechnologie – vertrauen, profitieren sie von den Innovationen sowie den kompakten Packages der Speichergeräte und geben zugleich die Zuverlässigkeit unserer Technologie an ihre Kunden weiter.“

Samples werden ab dem heutigen Tag verschickt, voraussichtlich im Oktober 2019 beginnt die Massenauslieferung.

Anmerkungen:

[1] Im Vergleich zu den vorhanden Serial-Interface-NAND-Produkten der ersten Generation der Toshiba Memory Corporation. Untersuchung von Toshiba Memory.

[2] Die Produktkapazität wird auf Basis der Kapazität des/der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den einschlägigen Produktspezifikationen.

[3] WSON: Very-Very thin Small Outline No Lead Package

Alle Firmen-, Produkt- und Servicenamen sind unter Umständen Marken der jeweiligen Unternehmen.

Für jede Erwähnung eines Produkts von Toshiba Memory gilt: Die Produktdichte wird auf Basis der Dichte des/der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den einschlägigen Produktspezifikationen. Definition von 1 Gb = 2^30 Bit = 1.073.741.824 Bit. Definition von 1 GB = 2^30 Byte = 1.073.741.824 Byte. Definition von 1 KB = 2^10 Byte = 1.024 Byte.

 

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Über Toshiba Memory Europe GmbH

Wir, die Toshiba Memory Europe GmbH, sind der europäische Ableger der Toshiba Memory Corporation. Unser Unternehmen bietet neben Solid-State-Laufwerken (SSDs) eine breite Palette an Flashspeicherprodukten, darunter SD-Karten, USB-Flashlaufwerke und eingebettete Speicherkomponenten. Unser Unternehmen unterhält Niederlassungen in Deutschland, Frankreich, Spanien, Schweden und dem Vereinigten Königreich. Masaru Takeuchi ist Präsident des Unternehmens.

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