Please select your location and preferred language where available.
BiCS FLASH™ | TLC & QLC
Η επεκτάσιμη τεχνολογία μνήμης flash BiCS FLASH™ 3D της KIOXIA εκτινάσσει τις χωρητικότητες της μνήμης στα υψηλότερα επίπεδα που έχουν επιτευχθεί μέχρι σήμερα
Η μνήμη BiCS FLASH™ της KIOXIA στηρίζεται σε μια τρισδιάστατη (3D) κάθετη δομή κελιών μνήμης flash. Αυτή η δομή της επιτρέπει να υπερβαίνει τη χωρητικότητα της δισδιάστατης (επίπεδης) μνήμης flash. Η BiCS FLASH TLC 1 Tb (128 GB*1) με 3 bit ανά κελί της KIOXIA, που αποτελεί πρωτιά στον κλάδο*2, ενισχύει την αξιοπιστία της διάρκειας εγγραφής/διαγραφής, ενώ αυξάνει τις ταχύτητες εγγραφής. Η εταιρεία διαθέτει επίσης μια συσκευή BiCS FLASH™ 1,33 Tb με τεχνολογία κελιών τετραπλού επιπέδου (QLC) με 4 bit ανά κελί. Είναι η πρώτη συσκευή μνήμης 3D flash με αυτήν την πρωτοπορία.*3
Βασικά χαρακτηριστικά της τεχνολογίας μνήμης flash BiCS FLASH™ 3D της KIOXIA
- Υψηλότερη πυκνότητα αποθήκευσης ανά τσιπ από τη συμβατική μνήμη flash
- Υψηλότερη απόδοση ταχύτητας ανάγνωσης/εγγραφής
- Υψηλότερη αξιοπιστία από τη δισδιάστατη (επίπεδη) μνήμη NAND
- Χαμηλή κατανάλωση Ενέργειας
Τεχνολογίες TLC (κελί τριπλού επιπέδου) και QLC (κελί τετραπλού επιπέδου)
Η BiCS FLASH™ της KIOXIA προσφέρει χωρητικότητα 1 terabit (Tb), κελί τριπλού επιπέδου (TLC) με 3 bit ανά κελί και τεχνολογία QLC υψηλότερης πυκνότητας που επιτρέπει μεγαλύτερη χωρητικότητα ανά τσιπ. Η KIOXIA πέτυχε τη μεγαλύτερη χωρητικότητα ανά τσιπ 1,33 terabit (Tb) στον κλάδο*4 και μια αρχιτεκτονική 16 τσιπ σε στοίβες που μπορεί να επιτύχει μια άνευ προηγουμένου χωρητικότητα 2,66 terabyte (TB) σε ένα μόνο πακέτο.
Βασικά χαρακτηριστικά
- Υψηλές πυκνότητες πακέτων
- Υψηλή χωρητικότητα ενός μόνο τσιπ μνήμης (έως και 2,66 TB)
- Ευνοϊκή αναλογία κόστους/απόδοσης
Βασικές εφαρμογές
- Αποθηκευτικός χώρος για επιχειρήσεις
- Αποθήκευση για data center
- Υπολογιστικές εφαρμογές πελάτη
- Φορητές συσκευές
- Αυτοκινητοβιομηχανία
- Καταναλωτικά προϊόντα
- Βιομηχανία
Επικεφαλής στην κούρσα προς μεγαλύτερη πυκνότητα και απόδοση μνήμης
Η KIOXIA ήταν η πρώτη εταιρεία του κλάδου που οραματίστηκε και προετοιμάστηκε για την επιτυχή μετάβαση από την τεχνολογία SLC στην MLC, από την MLC στην TLC και τώρα από την TLC στην QLC.
Η τεχνολογία QLC της KIOXIA είναι ιδανική για εφαρμογές που απαιτούν λύσεις αποθήκευσης υψηλής πυκνότητας και χαμηλότερου κόστους. Η σημερινή τεχνολογία QLC μειώνει το αποτύπωμα με την υψηλότερη διαθέσιμη πυκνότητα σε ένα μόνο πακέτο.
- Η πυκνότητα του προϊόντος καθορίζεται βάσει της πυκνότητας των τσιπ μνήμης στο προϊόν, και όχι βάσει της συνολικής χωρητικότητας μνήμης που είναι διαθέσιμη στον τελικό χρήστη για αποθήκευση δεδομένων. Η χωρητικότητα που μπορεί να χρησιμοποιηθεί από τον καταναλωτή θα είναι μικρότερη λόγω των κενών περιοχών δεδομένων, της μορφοποίησης, των ελαττωματικών μπλοκ και άλλων περιορισμών και μπορεί επίσης να διαφέρει ανάλογα με την κεντρική συσκευή και την εφαρμογή. Για λεπτομέρειες, ανατρέξτε στις ισχύουσες προδιαγραφές του προϊόντος. Ορισμός 1Gb = 230 bits = 1.073.741.824 bits. Ορισμός 1GB = 230 bytes = 1.073.741.824 bytes.
- 12 Ιουνίου 2007., δελτίο τύπου
- 28 Ιουνίου 2017., δελτίο τύπου
- 20 Ιουλίου 2018., δελτίο τύπου
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Εκπαίδευση και αξιολόγηση
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
