Memoria Flash tridimensional: BiCS FLASH™

Continuando con el aumento de la capacidad de la memoria Flash

Toshiba inventó la memoria Flash NAND en 1987 y fue la primera en el mundo en comenzar a producirla a gran escala en 1991. Desde entonces, Toshiba ha aumentado continuamente la capacidad de la memoria Flash NAND al reducir la regla de diseño y el nodo de tecnologías de proceso.

Sin embargo, la migración de procesos plantea múltiples retos. Cada vez es más difícil aumentar la capacidad de una memoria usando la tecnología de una memoria Flash NAND plana convencional.

Para resolver este problema, Toshiba inventó un nuevo proceso en el que los chips de memoria Flash se apilan verticalmente. En 2007, Toshiba fue la primera en el mundo*Nota 1 en anunciar una tecnología de apilamiento de memoria Flash tridimensional (3D). Además, continuando con este desarrollo, Toshiba ha lanzado la memoria Flash 3D: BiCS FLASH™

Aplicaciones principales

Gracias al advenimiento de la Internet de las Cosas (IoT), la proliferación de los servicios de redes sociales (SNS) y la generación de fotos y vídeos con resoluciones cada vez más altas, el volumen de datos generados en todo el mundo está creciendo exponencialmente.
 

Para procesar información, el rendimiento en tiempo real es fundamental, ya que una enorme cantidad de datos debe ser gestionada por sistemas de big data o almacenada indefinidamente en centros de datos y sistemas de servicios en la nube. En este contexto, se requiere un almacenamiento de alta capacidad para procesar, almacenar y gestionar grandes cantidades de datos a alta velocidad y con un bajo consumo de energía.

Además, para los teléfonos inteligentes, tabletas, tarjetas de memoria y otras aplicaciones que dependen de la energía, la demanda de almacenamiento con un menor consumo de energía está aumentando.

BiCS FLASH, que ofrece muchas ventajas en comparación con la memoria Flash NAND plana, será la solución que satisfaga los requisitos del mercado.

Características de BiCS FLASH

Alta densidad y alta capacidad

BiCS FLASH, la memoria Flash tridimensional (3D) apilada verticalmente, tiene una densidad de área de matriz mucho más alta que la memoria Flash NAND bidimensional (2D), la tecnología punta que le precedía. Además, BiCS FLASH redujo el tamaño del chip, optimizando así la tecnología de circuitos y el proceso de fabricación. La memoria BiCS FLASH de 96 capas, anunciada el 28 de junio de 2017, proporciona aproximadamente 1,4 veces la capacidad de almacenamiento por unidad de área en comparación con la memoria BiCS FLASH de 64 capas.

Velocidad de programación rápida

Los espacios entre las celdas de memoria de la BiCS FLASH son mucho más amplios que los de las memoria Flash NAND 2D. Esto permitió mejorar la velocidad de programación, aumentando el volumen de datos para una secuencia de programación única.

Alta fiabilidad

Los espacios amplios entre las celdas de memoria de la BiCS FLASH reducen el acoplamiento de las celdas y mejoran la fiabilidad, en comparación con la memoria Flash NAND 2D.

Bajo consumo de energía

BiCS FLASH redujo el consumo de energía por unidad de datos de programación aumentando la cantidad de datos para una secuencia de programación única (es decir, una velocidad de programación más rápida), en comparación con la memoria Flash NAND 2D.

*Nota 1: A partir del 12 de junio de 2007 (anunciado por Toshiba)

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