Toshiba Memory presenta la serie XG6 con la primera unidad SSD de la industria que utiliza memoria Flash 3D de 96 capas

La nueva serie de unidades SSD NVMe™ para clientes XG6 ofrece un mejor rendimiento y eficiencia energética para ordenadores, servidores y aplicaciones integradas

Düsseldorf, Alemania, 24 de julio de 2018

XG6

 

 

Toshiba Electronics Europe GmbH ha presentado una nueva línea de unidades de estado sólido (SSD) que trabajan con su memoria Flash de 96 capas, BiCS FLASH 3D. Las serie XG6, con la primeras unidades SSD de la industria en emplear esta tecnología de vanguardia[1], está dirigida a distintos sectores, como el de ordenadores de clientes, la tecnología móvil integrada y los juegos, así como también para centros de datos para unidades de arranque en servidores, almacenamiento en caché y registro y almacenamiento de productos básicos.

Toshiba Memory, inventora de la memoria Flash y pionera en el concepto de memoria Flash 3D, busca ampliar continuamente los límites de lo posible y avanzar así la tecnología. Su tecnología BiCS FLASH de 3 bits por celda (celda de triple nivel, TLC) mejora el rendimiento, la densidad y la eficiencia de las unidades SSD. Y su innovador proceso de apilamiento de 96 capas se combina con una avanzada tecnología de circuitos y fabricación para lograr un aumento de capacidad de aproximadamente el 40 por ciento por unidad de tamaño de chip, en comparación con la memoria Flash 3D de 64 capas.

"La introducción de la serie XG6 prepara el camino para que las unidades SSD para clientes, centros de datos y empresas de Toshiba migren a la tecnología de 96 capas", comenta Paul Rowan, vicepresidente de la unidad de negocios SSD de Toshiba Memory Europe, con respecto a cómo las continuas mejoras de Toshiba Memory en su tecnología BiCS FLASH están cambiando las reglas de juego.

Rowan continúa: "Ideal para segmentos como el de clientes, tecnología integrada y centros de datos, la nueva serie XG6 de unidades SSD NVME está compuesta por unidades versátiles con opciones de capacidad de hasta 1 TB y un diseño de controlador optimizado, para un mayor rendimiento y eficiencia energética. Toshiba Memory está a la vanguardia del desarrollo de memorias Flash 3D BiCS FLASH de 96 capas."

La nueva serie XG6 está disponible en un diseño M.2 2280 de una sola cara y es compatible con PCI Express®[2] Generation 3 de 4 carriles y NVM Express™[3] revisión 1.3a. La serie XG6 se caracteriza por una potente combinación de eficiencia y rendimiento, que consume 4,7 W o menos de potencia y alcanza hasta 3180 MB/s de lectura secuencial[4], casi 3000 MB/s de escritura secuencial y hasta 355 000 IOPS de lectura aleatoria y 365 000 IOPS de escritura aleatoria[5]. Lograda mediante la optimización del sistema en chip, el rendimiento de escritura secuencial de la serie XG6 lidera la industria.

Entre las funciones adicionales se incluyen:

 

  • Seguridad: Modelos de unidades de escritura o auto-cifrado que son compatibles con TCG Opal versión 2.01, así como compatibilidad con bloqueo SID y firma digital
  • Compatibilidad con la función de aprovisionamiento seleccionable por el usuario a través del comando NVMe
  • Rendimiento secuencial de primera clase (línea para clientes)[6]
  • Búfer SLC mejorado para incrementar el rendimiento de la unidad en cargas de trabajo de clientes

 

"La industria continúa desplazándose hacia mayores densidades de tecnología Flash 3D, con petabytes NAND 3D que seguirán creciendo a una tasa de crecimiento anual compuesto del 75 % hasta el 2022," afirmó Greg Wong, fundador y principal analista de Forward Insights. "La introducción de las 96 capas es un hito importante para que la tecnología Flash satisfaga la creciente demanda de un almacenamiento más rápido y denso."

Bien equipada para una amplia gama de aplicaciones de lectura intensiva que priorizan la eficiencia energética, el rendimiento de ráfagas y una huella compacta, la serie XG6 estará disponible en capacidades de 256, 512 y 1024 gigabytes [7][8]. Ya se están enviando prototipos de muestra a clientes fabricantes de equipos originales y, además, estas se presentarán en el evento Flash Memory Summiten Santa Clara, California del 7 al 9 de agosto en el Hall A, stand #307.

Notas:

 

[1] Según una investigación de Toshiba Memory Corporation del 23 de julio de 2018.

[2] PCI Express es una marca registrada de PCI-SIG.

[3] NVM Express es una marca registrada de NVM Express, Inc.

[4] Investigación de Toshiba Memory Corporation sobre velocidades de escritura y lectura secuenciales de unidades de 128 KiB, utilizando modelos XG6 de 1024 GB en condiciones de ensayo de Toshiba Memory Corporation. La velocidad de lectura y escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y escritura y el tamaño del archivo. Toshiba Memory Corporation define un megabyte (MB) como 1 000 000 bytes y un kibibyte (KiB) como 210 bytes, o 1024 bytes.

[5] Investigación de Toshiba Memory Corporation sobre velocidades de escritura y lectura aleatorias de unidades de 4 KiB, utilizando modelos XG6 de 1024 GB en condiciones de ensayo de Toshiba Memory Corporation. La velocidad de lectura y escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y escritura y el tamaño del archivo. IOPS es el número operaciones de entrada/salida por segundo.

[6] Según una investigación de Toshiba Memory Corporation del 23 de julio de 2018.

[7] Definición de capacidad: Toshiba Memory Corporation define un gigabyte (GB) como 1 000 000 000 de bytes. Ahora bien, el sistema operativo de un ordenador informa de la capacidad de almacenamiento usando potencias de 2 al definir 1 GB = 230 bytes= 1 073 741 824 bytes y, por lo tanto, muestra menos capacidad de almacenamiento. La capacidad de almacenamiento disponible (incluyendo ejemplos de diversos archivos multimedia) variará en función del tamaño del archivo, el formato, la configuración, el software y el sistema operativo, como el sistema operativo de Microsoft y/o las aplicaciones de software preinstaladas o el contenido multimedia. La capacidad real con formato puede variar.

[8] La densidad del producto se identifica según la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente.

 

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Acerca de Toshiba Memory Europe GmbH

Nosotros, Toshiba Memory Europe GmbH, somos la división europea de Toshiba Memory Corporation. Nuestra empresa, además de ofrecer unidades de estado sólido (SSD), tiene una amplia línea de productos de memoria Flash, incluyendo tarjetas SD, memorias USB y componentes integrados de memoria. Nuestra empresa cuenta con oficinas en Alemania, Francia, España, Suecia y Reino Unido. Su presidente es Masaru Takeuchi.