Toshiba Memory Europe presenta la solución de memoria para almacenamiento XL-FLASH

La NAND de mayor rendimiento disponible también reduce la latencia de una forma rentable

Düsseldorf, Alemania, 5 de agosto de 2019

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Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha anunciado hoy el lanzamiento de una nueva solución de memoria para almacenamiento (Storage Class Memory, SCM): XL-FLASH. Basada en la innovadora tecnología de memoria Flash 3D BiCS FLASH de la compañía con SLC de 1 bit por celda, XL-FLASH brinda una baja latencia y un alto rendimiento para aplicaciones en centros de datos y empresas.

Clasificada como SCM (o memoria persistente), con una capacidad de retener su contenido similar a la de la memoria Flash NAND, XL-FLASH reduce la diferencia de rendimiento que existía entre DRAM y NAND. Aunque las soluciones de memoria volátil, como la DRAM, proporcionan la velocidad de acceso que necesitan las aplicaciones exigentes, este rendimiento tiene un alto coste.

 

A medida que el coste por bit y la escalabilidad de la DRAM se nivelan, esta nueva capa de SCM en la jerarquía de memoria resuelve el problema con una solución de memoria Flash NAND no volátil, de alta densidad y rentable. Preparada para crecer, la empresa de analistas del sector, IDC, estima que el mercado de SCM alcanzará más de 3000 millones de dólares en 2022[1].

 

Posicionada entre DRAM y Flash NAND, la XL-FLASH brinda más velocidad, menor latencia, mayores capacidades de almacenamiento y, además, un coste menor que la DRAM tradicional. La memoria XL-FLASH se implementará inicialmente en formato SSD, pero podría ampliarse a dispositivos conectados al canal de memoria que se encuentran en el bus DRAM, como los futuros módulos de memoria en línea duales no volátiles (NVDIMM).

Características principales:
 

  • Matriz de 128 gigabits (Gb) (en un paquete de 2, 4 u 8 matrices)
  • Tamaño de página de 4 KB para lecturas y escrituras más eficientes del sistema operativo
  • Arquitectura de 16 planos para un paralelismo más eficiente
  • Lectura rápida de la página y tiempos de programación: XL-FLASH proporciona una baja latencia de lectura de menos de 5 microsegundos, aproximadamente 10 veces más veloz que TLC[2]


Como inventora de la memoria Flash NAND, la primera empresa en anunciar la tecnología de memoria Flash 3D y líder en migraciones de procesos, Toshiba Memory ocupa una posición ideal para ofrecer SCM basado en SLC con fabricación desarrollada, escalabilidad probada y una fiabilidad demostrada a lo largo del tiempo

"XL-FLASH es la NAND de mayor rendimiento disponible, gracias a nuestra BiCS FLASH, utilizada en modo SLC," afirmó Axel Stoermann, vicepresidente de Toshiba Memory Europe GmbH. "Al almacenar un solo bit por celda, podemos aumentar el rendimiento de una manera considerable. Y debido a que XL-FLASH está basada en tecnologías probadas que ya fabricamos a gran escala, nuestros clientes serán capaces de acelerar el lanzamiento al mercado de sus productos con la adopción de XL-FLASH como solución de memoria de almacenamiento."

Los envíos de muestra comenzarán en septiembre de 2019 y se espera que la producción a gran escala comience en 2020.

Notes:

[1] IDC. mayo de 2019, Worldwide Solid State Drive Forecast, 2019-2023, Doc # US43828819

[2] En comparación con la memoria TLC NAND de TMC, que tiene una latencia de lectura de aproximadamente 50 microsegundos.

NAND de mayor rendimiento disponible basada en el hecho de que la matriz ha sido diseñada específicamente (16 planos) para proporcionar un mayor rendimiento que TLC NAND.

Todos los nombres de empresas, nombres de productos y nombres de servicios pueden ser marcas comerciales de sus respectivas empresas.

En cada mención de un producto de memoria Toshiba: la densidad del producto se identifica en función de la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no de la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. Definición de 1 Gb = 230 bits = 1 073 741 824 bits. Definición de 1 GB = 230 bytes = 1 073 741 824 bytes. Definición de 1 KB = 210 bytes = 1024 bytes.


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Acerca de Toshiba Memory Europe GmbH

Nosotros, Toshiba Memory Europe GmbH, somos la división europea de Toshiba Memory Corporation. Nuestra empresa, además de ofrecer unidades de estado sólido (SSD), tiene una amplia línea de productos de memoria Flash, incluyendo tarjetas SD, memorias USB y componentes integrados de memoria. Nuestra empresa cuenta con oficinas en Alemania, Francia, España, Suecia y Reino Unido. Su presidente es Masaru Takeuchi.

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