Toshiba Memory lanza una nueva interfaz en serie NAND

Los productos NAND de segunda generación son compatibles con las transferencias de datos de alta velocidad y aumentan el rendimiento y capacidad de las aplicaciones integradas

Düsseldorf, Alemania, 26 de septiembre 2019

Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha anunciado hoy el lanzamiento de su línea de productos de memoria Flash NAND de segunda generación para aplicaciones integradas, con un mayor rendimiento y capacidad[1]. Con compatibilidad para transferencias de datos de alta velocidad, los nuevos productos NAND de interfaz en serie son compatibles con el estándar generalizado de Serial Peripheral Interface (SPI) y son ideales para una amplia gama de aplicaciones de consumo, industriales y de comunicación. Los envíos de muestras empiezan hoy y la producción en serie está prevista para empezar en octubre.

Con dispositivos cada vez más pequeños en aplicaciones de IoT y comunicación, sigue aumentando la demanda de memorias Flash de gran capacidad en pequeño tamaño con capacidad para gestionar transferencias de datos de alta velocidad con un bajo número de pines. Gracias a su compatibilidad con el estándar generalizado SPI, los productos NAND de interfaz en serie pueden ser utilizados como productos de memoria Flash NAND SLC con un bajo número de pines, un tamaño pequeño y una gran capacidad.

Los nuevos productos NAND de interfaz en serie de segunda generación, a fin de permitir la transferencia de datos a alta velocidad, ofrecen un rendimiento mejorado en comparación con los productos de primera generación existentes[1], incluyendo una frecuencia de funcionamiento de 133 megahercios (MHz) y un modo de programa x4. Además, se ha añadido un dispositivo de 8 gigabits[2] (1 gigabyte[2]) a la línea para responder a las demandas de mayor capacidad de memoria. Toda la línea se ofrece en un paquete WSON[3] de 8 pines con un tamaño de 6 x 8 mm.

Características principales:
 

  • Capacidades de1 - 8 gigabit (Gb)
  • Tamaño de página de 2 kB (1/2 Gb) y 4 kB (4/8 Gb) para lecturas y escrituras más eficientes del sistema operativo
  • x4 modos de programación y lectura para programación y acceso de alta velocidad
  • ECC y protección de datos para detectar los saltos de bits y proporcionar protección de bloques asignados
  • Función de página de parámetros para información detallada sobre el dispositivo

 

"Con la creciente complejidad y tamaño de las aplicaciones integradas, esta nueva línea de memorias Flash NAND en serie de alta velocidad proporciona a los diseñadores el rendimiento y la flexibilidad que están buscando" afirmó Axel Stoermann, vicepresidente de Toshiba Memory Europe GmbH. "Al confiar en Toshiba, la inventora de la memoria Flash NAND y líder en tecnología de memorias Flash 3D, se beneficiarán de las innovaciones integradas en estos dispositivos y de su tamaño compacto, a la vez que transmitirán la fiabilidad de nuestra tecnología a sus clientes."

Los envíos de muestras empiezan hoy y los envíos a gran escala están programados para empezar en octubre de 2019.

Notas:

[1] En comparación con los productos NAND de interfaz en serie de primera generación de Toshiba Memory Corporation. Investigación de Toshiba Memory.

[2] La capacidad del producto se identifica según la capacidad de los chips de memoria dentro del producto, no la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente.

[3] WSON: Paquete muy delgado de contorno pequeño sin plomo (Very-Very thin Small Outline No Lead Package)

Todos los nombres de empresas, nombres de productos y nombres de servicios pueden ser marcas comerciales de sus respectivas empresas.

En todas las menciones de un producto de Toshiba Memory: la densidad del producto se identifica en función de la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no de la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. Definición de 1 Gb = 230 bits = 1 073 741 824 bits. Definición de 1 GB = 230 bytes = 1 073 741 824 bytes. Definición de 1 KB = 210bytes = 1024 bytes.

 

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Acerca de Toshiba Memory Europe GmbH

Nosotros, Toshiba Memory Europe GmbH, somos la división europea de Toshiba Memory Corporation. Nuestra empresa, además de ofrecer unidades de estado sólido (SSD), tiene una amplia línea de productos de memoria Flash, incluyendo tarjetas SD, memorias USB y componentes integrados de memoria. Nuestra empresa cuenta con oficinas en Alemania, Francia, España, Suecia y Reino Unido. Su presidente es Masaru Takeuchi.

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