Memoria flash tridimensional: BiCS FLASH™

Aumento de la capacidad de la memoria flash

Toshiba inventó la memoria flash NAND en 1987 y, en 1991, se convirtió en la primera empresa del mundo en fabricarla de forma masiva. Desde entonces, Toshiba ha aumentado cada vez más la capacidad de la memoria flash NAND mediante la reducción de las reglas de diseño y el nodo de tecnología de proceso.

Sin embargo, el proceso de migración presenta varios desafíos. Es extremadamente difícil aumentar la capacidad de memoria con una tecnología de memoria flash NAND plana convencional.

Para resolver este problema, Toshiba inventó un nuevo proceso en el cual los chips de memoria flash se encuentran apilados de manera vertical. En el año 2007, Toshiba fue la primera empresa del mundo*Nota 1 en anunciar una tecnología de apilamiento de memoria flash tridimensional (3D). Como resultado de este desarrollo, Toshiba lanzó la memoria flash 3D: BiCS FLASH™

Aplicaciones de diseño

Debido al advenimiento del internet de las cosas (IoT), la masividad de los servicios de redes sociales (SNS) y la producción de fotos y videos en una resolución cada vez más elevada, el volumen de datos que se genera a nivel mundial crece de manera exponencial.
 
En el campo del procesamiento de la información, se considera al rendimiento en tiempo real un requisito importante debido al gran volumen de datos que se debe manejar mediante sistemas de macrodatos o almacenar por tiempo ilimitado en centros de datos y sistemas de servicio en la nube. Por ello, se necesita un almacenamiento de alta capacidad para procesar, almacenar y manejar grandes cantidades de datos a alta velocidad y con bajo consumo de energía.

Además, la demanda de almacenamiento con bajo consumo de energía para teléfonos móviles, tablets, tarjetas de memoria y otras aplicaciones de bajo consumo aumenta cada vez más.

BiCS FLASH, que ofrece muchas ventajas sobre la memoria flash NAND plana, será la solución que satisfaga las exigencias del mercado.

Características de BiCS FLASH

Alta densidad y alta capacidad

bics-image1

La memoria flash tridimensional (3D) apilada de manera vertical BiCS FLASH posee una mayor densidad en el área de la matriz comparada con la memoria flash NAND bidimensional (2D), que es la tecnología más moderna anterior. Además, BiCS FLASH redujo el tamaño del chip al optimizar tanto la tecnología del circuito como el proceso de fabricación. La memoria BiCS FLASH de 96 capas, anunciada el 28 de junio de 2017, proporciona alrededor de 1.4 veces la capacidad de almacenamiento por área de unidad que la memoria BiCS FLASH de 64 capas.

Velocidad de programación rápida

bics-image2

En BiCS FLASH, los espacios entre las celdas de la memoria son más anchos que en una memoria flash NAND 2D. Esto permitió mejorar la velocidad de programación al aumentar el volumen de la información para una secuencia de programación única.

Alta confiabilidad

bics-image3

Los espacios abiertos entre las celdas de la memoria BiCS FLASH reducen el acoplamiento de celdas y representan una mayor confiabilidad en comparación con una memoria flash NAND 2D.

Bajo consumo de energía

bics-image4

BiCS FLASH redujo el consumo de energía por unidad de programación de datos mediante el aumento del volumen de datos con una secuencia de programación única (es decir, velocidad de programación más rápida) comparada con una memoria flash NAND 2D.

* Nota 1: A partir del 12 de junio de 2007 (anunciado por Toshiba)

  • Todos los demás nombres de empresas, de productos y de servicios que se mencionan en este documento pueden ser marcas comerciales de sus empresas respectivas.

PAGETOP