Serie BG3

SSD para clientes


The BG3 series leverages 64-layer, 3-bit-per-cell (TLC) BiCS FLASH™ and features NVMe™ Revision 1.2.1. With Host Memory Buffer (HMB) technology, this SSD series retains high performance in a DRAM-less architecture, while enabling reduced power and a smaller footprint.

BG3 SSDs, as an innovative, next generation single-package ball grid array (BGA) SSD product line, harness the flexibility in system design that enables mobile computing and IoT embedded devices to be smaller, lighter, faster, and more power efficient. Also, these power-saving BG3 SSDs offer data center applications an alternative solution for server boot storage.

The BG3 series is available in 128GB, 256GB, and 512GB capacities. All three models are available in a surface-mount single package M.2 1620 or a removable module M.2 2230 form factor. BG3 SED models are also available.

 

cSSD-BG3

La serie BG3 aprovecha la tecnología BiCS FLASH™ de 64 capas y 3 bits por celda (TLC) y tiene NVMe™ revisión 1.2.1. Además de contar con tecnología de búfer de memoria de host (HMB), esta serie de unidades SSD retiene un alto rendimiento en una arquitectura sin memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) con un menor consumo de energía y un menor tamaño.

Las unidades SSD BG3, como una innovadora línea de productos de SSD de matriz de rejilla de bolas (BGA) de próxima generación en un único paquete, poseen la flexibilidad de diseño de sistema que permite que los dispositivos de computación móvil e IoT incrustados sean más pequeños, más ligeros, más rápidos y consuman menos energía. Además, estas unidades SSD BG3 de menor consumo de energía ofrecen aplicaciones de centro de datos que son una solución alternativa para el almacenamiento en servidores.

La serie BG3 está disponible en tres modelos de capacidad de 128 GB,
256 GB y 512 GB. Los tres modelos están disponibles en un único paquete de montaje superficial M.2 1620 o en un factor de forma de módulo extraíble M.2 2230. También están disponibles los modelos BG3 SED.

Características
  • BiCS FLASH™ de 64 capas de KIOXIA
  • PCIe® 3.0 de 2 carriles,
  • NVMe™ Capacidad de hasta 512 GB
  • Único paquete M.2 1620 y factor de forma M.2 2230 de una cara
  • OPAL 2.01 de TCG opcional para SED
Aplicaciones
  • Computadoras ultramóviles
  • Computadoras portátiles 2 en 1
  • Internet de las cosas (IoT)/dispositivos incrustados
  • Unidades de arranque de matrices de servidores y almacenamiento

Documentos

Especificaciones

  M.2 1620-S3
Single Package
M.2 1620-S2
Single Package
M.2 2230-S3
Single-sided Module
M.2 2230-S2
Single-sided Module
Basic Specifications
Model Number (Non-SED) KBG30ZPZ512G KBG30ZPZ256G KBG30ZPZ128G KBG30ZMS512G KBG30ZMS256G KBG30ZMS128G
(SED) KBG3AZPZ512G KBG3AZPZ256G KBG3AZPZ128G KBG3AZMS512G KBG3AZMS256G KBG3AZMS128G
Formatted Capacity 512 GB 256 GB 128 GB 512 GB 256 GB 128 GB
Connector Type - M.2 B-M
Interface PCIe® Gen3 x2, NVMe™ 1.2.1
Maximum Interface Speed 16 GT/s
(PCIe® Gen3 x2)
Flash Memory Type TLC (BiCS FLASH™)
Sequential Read
(Up to)
(Non-SED) 1,500 MB/s
{1,430 MiB/s}
1,400 MB/s
{1,330 MiB/s}
1,300 MB/s
{1,240 MiB/s}
1,500 MB/s
{1,430 MiB/s}
1,400 MB/s
{1,330 MiB/s}
1,300 MB/s
{1,240 MiB/s}
(SED) 1,300 MB/s
{1,240 MiB/s}
1,250 MB/s
{1,190 MiB/s}
1,200 MB/s
{1,140 MiB/s}
1,300 MB/s
{1,240 MiB/s}
1,250 MB/s
{1,190 MiB/s}
1,200 MB/s
{1,140 MiB/s}
Sequential Write
(Up to)
(Non-SED) 1,000 MB/s
{950 MiB/s}
800 MB/s
{760 MiB/s}
600 MB/s
{570 MiB/s}
1,000 MB/s
{950 MiB/s}
800 MB/s
{760 MiB/s}
600 MB/s
{570 MiB/s}
(SED) 950 MB/s
{900 MiB/s}
750 MB/s
{710 MiB/s}
550 MB/s
{520 MiB/s}
950 MB/s
{900 MiB/s}
750 MB/s
{710 MiB/s}
550 MB/s
{520 MiB/s}
Reliability
MTTF 1,500,000 hours
Power Requirements
Supply Voltage 3.3 V ±5 %
1.8 V ±5 %
1.2 V ±5 %
3.3 V ±5 %
Power consumption (Active) 2.8 W typ. 2.7 W typ. 3.3 W typ. 3.2 W typ.
Power consumption (L1.2 mode) 5 mW max. 5 mW max.
Dimensions
Height 1.5 mm 1.3 mm 2.38 mm 2.18 mm
Width 16.0 mm 22.0 mm
Length 20.0 mm 30.0 mm
Weight 1.00 g typ. 0.85 g typ. 2.60 g typ. 2.42 g typ.
Environmental
Temperature (Operating) 0 to 80 °C (Package Temperature) 0 to 80 °C (Components Temperature)
Temperature (Non-operating) -40 to 85 °C
Vibration
(Operating/Non-operating)
- 196 m/s2 { 20 G } ( Peak, 10 ~ 2,000 Hz )
Shock
(Operating/Non-operating)
- 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms )
More features
  • Device Self-test is supported.
  • Host Controlled Thermal Management (HCTM) is supported.
  • The feature of Host Memory Buffer (HMB) is supported.
  • Firmware security feature (only digitally signed firmware can be installed) is supported.
  • Para obtener más información, consulte la descripción del producto de la serie BG3.
  • Es posible que la imagen del producto represente un modelo de diseño. La disponibilidad de la línea del modelo con SED puede variar según la región.
  • Definición de capacidad: KIOXIA Corporation define un megabyte (MB) como 1,000,000 bytes, un gigabyte (GB) como 1,000,000,000 bytes y un terabyte (TB) como 1,000,000,000,000 bytes. Sin embargo, los sistemas operativos de las computadoras contabilizan la capacidad de almacenamiento utilizando las potencias de 2; entonces se define que 1 GB = 230 = 1,073,741,824 bytes. Por esto, el sistema muestra una capacidad de almacenamiento menor. La capacidad de almacenamiento disponible (incluidos los ejemplos de distintos archivos multimedia) variará según el tamaño del archivo, el formato, la configuración, el software y el sistema operativo, como el Sistema Operativo de Microsoft, las aplicaciones de software preinstaladas o el contenido multimedia. La capacidad formateada real puede variar. Un kibibyte (KiB) es igual a 210, o 1,024 bytes; un mebibyte (MiB) es igual a 220, o 1,048,576 bytes; y un gibibyte (GiB) es igual a 230, o 1,073,741,824 bytes.
  • El tiempo medio hasta el fallo (MTTF) no es una garantía ni un cálculo de la vida útil del producto, sino un valor estadístico relacionado con índices de fallo medios basados en una gran cantidad de productos, lo que puede no reflejar de manera precisa el funcionamiento real. La vida operativa real del producto puede diferir del MTTF.
  • La velocidad de lectura y de escritura, comprobada en estado “Búfer de memoria de host (HMB) = ON” puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y de escritura, y el tamaño del archivo.
  • PCIe es una marca comercial registrada de PCI-SIG.
  • NVMe es una marca comercial de NVM Express, Inc.
  • Todos los demás nombres de empresas, de productos y de servicios que se mencionan en este documento pueden ser marcas comerciales de sus empresas respectivas.

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