Serie HK4R

SSD para centros de datos


eSSD-HK4R

Diseñada para cargas de trabajo de lectura intensiva, la serie de SSD empresariales SATA HK4R ofrece un excelente rendimiento, una gran confiabilidad y un bajo consumo de energía con una alta calidad de servicio, en especial para el uso empresarial y en servidores de archivos.
 

La familia HK4R es compatible con la interfaz de 6.0 Gbit/s y está disponible en grandes capacidades de hasta 1.92 TB. Todos los modelos de 7.0 mm de altura están equipados con características de nivel empresarial como la protección contra la pérdida de energía.

Características principales
  • Capacidades de hasta 1.92 TB
  •  1 DWPD
  • Interfaz SATA de 6.0 Gbit/s
  • Bajo consumo de energía de funcionamiento
  • Protección contra la pérdida de energía
  • Protección de datos de punta a punta
  • Conexión en caliente/extracción en caliente dependiente del SO
Aplicaciones
  • Servidores web
  • Servidores de archivos Streaming multimedia
  • VOD
  • Motores de búsqueda
  • Almacenamiento de datos en caliente

Documentos

Especificaciones

THNSN8120PCSE THNSN8240PCSE THNSN8480PCSE THNSN8960PCSE THNSN81Q92CSE
Basic Specifications
Interface ACS-3, SATA revision 3.2
Interface Speed 6.0 Gbit/s , 3.0 Gbit/s , 1.5 Gbit/s
Memory Type MLC
Formatted Capacity 120 GB 240 GB 480 GB 960 GB 1920 GB
Sequential Read (64KiB) 500 MiB/s
Sequential Write (64KiB) 120 MiB/s 270 MiB/s 480 MiB/s
Random Read (4KiB) 75 KIOPS
Random Write (4KiB) 4 KIOPS 10 KIOPS 12 KIOPS 14 KIOPS
Reliability
MTTF 2,000,000 hours
Warranty 5 years
DWPD 1
Power Requirements
Supply Voltage 5.0 V ±5 %
Power Consumption (Operating) 4.5W Typ.
Power Consumption (Ready) 1.2 W Typ.
Dimensions
Height 7.0 mm
Width 69.85 mm
Length 100.0 mm
Weight 60 g Max.
Environmental
Temperature (Operating) 0 to 55° C
Relative Humidity (Operating) 5 to 95 % R.H.
Vibration (Operating) 21 m/s2 { 2.17 Grms } ( 100 to 800 Hz )
Shock  (Operating) 9.8 km/s2 { 1000 G } ( 0.5 msec )
More Features
  • Support to power loss protection  (PLP)
  • Es posible que la imagen del producto represente un modelo de diseño.
  • Definición de capacidad: KIOXIA Corporation define un megabyte (MB) como 1,000,000 bytes, un gigabyte (GB) como 1,000,000,000 bytes y un terabyte (TB) como 1,000,000,000,000 bytes.  Sin embargo, los sistemas operativos de las computadoras contabilizan la capacidad de almacenamiento utilizando las potencias de 2; entonces se define que 1 GB = 230 = 1,073,741,824 bytes.  Por esto, el sistema muestra una capacidad de almacenamiento menor.  La capacidad de almacenamiento disponible (incluidos los ejemplos de distintos archivos multimedia) variará según el tamaño del archivo, el formato, la configuración, el software y el sistema operativo, como el Sistema Operativo de Microsoft o las aplicaciones del software instalado o el contenido multimedia.  La capacidad formateada real puede variar.
  • Un kibibyte (KiB) es igual a 210, o 1,024 bytes, un mebibyte (MiB) es igual a 220, o 1,048,576 bytes, y un gibibyte (GiB) es igual a 230, o 1,073,471,824 bytes.
  • El tiempo medio hasta el fallo (MTTF) no es una garantía ni un cálculo de la vida útil del producto, sino un valor estadístico relacionado con índices de fallo medios basados en una gran cantidad de productos, lo que puede no reflejar de manera precisa el funcionamiento real. La vida operativa real del producto puede diferir del MTTF.
  • DWPD: escritura de unidades por día (Drive Write Per Day).  Una escritura completa de unidad por día significa que la capacidad total de la unidad puede escribirse y rescribirse una vez todos los días durante cinco años, el período de garantía indicado del producto.  Los resultados reales pueden variar según la configuración del sistema, el uso y otros factores.
  • La velocidad de lectura y de escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y de escritura y el tamaño del archivo.
  • IOPS: etrada/salida por segundo (o el número de operaciones de entrada/salida por segundo).
  • Protección contra la pérdida de energía (PLP): la PLP permite registrar datos de la memoria del búfer en la memoria flash NAND mediante la energía de respaldo de un condensador sólido, en el caso de que se produzca un corte de energía repentino.

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