Mémoire flash tridimensionnelle : BiCS FLASH™

Capacité accrue de la mémoire flash

Toshiba a inventé la mémoire flash NAND en 1987 et a été la première entreprise au monde à commencer sa production en masse en 1991. Depuis, Toshiba a réussi à accroitre de manière continue la capacité de la mémoire flash NAND en réduisant les règles de conception et les technologies de procédés.

Ce changement est cependant un challenge à différents niveaux. Il est devenu extrêmement difficile de continuer à augmenter la capacité des mémoires en gardant la technologie de mémoire flash NAND conventionnelle, c’est-à-dire planaire.

Pour résoudre ce problème, Toshiba a inventé un nouveau procédé selon lequel les puces de la mémoire flash sont empilées verticalement. En 2007, Toshiba a été la première entreprise au monde*Note 1 à annoncer une technologie de mémoire flash tridimensionnelle (3D). Résultat d’autres développements, Toshiba a ensuite commercialisé une mémoire flash 3D : BiCS FLASH™

Applications cibles

L’avènement de l’Internet des objets (en anglais IoT), la prévalence des services de réseaux en ligne (SNSs), ainsi que la production de photos et vidéos à des résolutions toujours plus hautes ont pour suite logique une croissance exponentielle du volume de données.
 

Dans le domaine du traitement de l’information, la performance en temps réel est considérée comme une condition préalable indispensable au vu du nombre impressionnant de données devant être gérées par des systèmes de données massives ou stockées indéfiniment dans des centres de données et des systèmes de cloud. Dans ce contexte, le stockage de grande capacité est indispensable si l’on souhaite traiter, stocker et gérer de grandes quantités de données à haute vitesse et avec une consommation électrique réduite.

N’oublions pas non plus la demande croissante de stockage à faible consommation électrique pour les smartphones, les tablettes, les cartes mémoire et autres applications sensibles au niveau de l’alimentation.

BiCS FLASH, qui offre de nombreux avantages par rapport à la mémoire planaire NAND, est la solution pour répondre aux besoins du marché.

Caractéristiques de la BiCS FLASH

Haute densité et grande capacité

La mémoire flash tridimensionnelle (3D) à empilement vertical BiCS FLASH a de loin une densité bien plus élevée comparée à la mémoire flash bidimensionnelle (2D) NAND, qui était le top jusque ce jour. De plus, BiCS FLASH a réduit la taille de la puce en optimisant la technologie de circuit et le processus de fabrication. La BiCS FLASH à 96 couches, annoncée pour le 28 juin 2017, offre environ 1,4 fois la capacité de stockage par unité de surface de la BiCS FLASH à 64 couches.

Haute vitesse de programmation

Les espaces entre les cellules de la mémoire dans la BiCS FLASH sont bien plus éloignés que dans la mémoire flash 2D NAND. Cela a permis d’améliorer la vitesse de programmation en augmentant le nombre de données pour une séquence de programmation.

Grande fiabilité

Le large espace libre entre les cellules de mémoire de la BiCS FLASH réduit le regroupement de cellules tout en améliorant la fiabilité par rapport à la mémoire flash 2D NAND.

Faible consommation énergétique

BiCS FLASH réduit la consommation énergétique par unité de donnée de programme en augmentant le nombre de données pour une séquence de programmation (ce qui signifie une vitesse de programmation plus rapide) par rapport à la mémoire flash 2D NAND.

* Note 1 : À compter du 12 juin 2007 (annoncé par Toshiba)

  • Tous les autres noms de société, de produits et de services mentionnés ici sont des marques de leurs détenteurs respectifs.