Toshiba livre à présent des prototypes d’une mémoire flash en 3D à 64 couches, de 512 Gbits

Donne un nouvel élan à la gamme avec une puce BiCS FLASH à la capacité plus élevée

Tokyo, Japon, le 22 février 2017

Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) à dévoilé aujourd’hui la dernière nouveauté de sa gamme leader de l’industrie de mémoires flash en trois dimensions BiCS FLASH, dotées d’une structure de cellules empilées[1], un dispositif à 64 couches qui permet d’atteindre une capacité de 512 Gbits (64 Go), grâce à une technologie à 3 bits par cellule (cellule de type triple, Triple-level cell, TLC). Le nouveau dispositif sera utilisé dans les applications comprenant les SSD entreprise et grand public. L’expédition des prototypes de ces puces a commencé ce mois-ci, et la production de masse est prévue pour le second semestre de cette année civile.

Toshiba continue dans sa lancée en perfectionnant le dispositif BiCS FLASH, et la prochaine étape de ce développement est d’atteindre la capacité la plus élevée du secteur[2], un produit d’1 téraoctet avec une architecture empilée à 16 puces dans un seul boitier. Les premiers envois d’échantillons sont prévus pour avril 2017.

Pour son nouveau dispositif à 512 gigabits, Toshiba a déployé un procédé d’empilage pionnier à 64 couches pour obtenir une capacité plus importante de 65 % par taille de puce unitaire que le dispositif de 256 gigabits à 48 couches (32 gigaoctets), et a augmenté la capacité de mémoire par plaquette de silicium, réduisant ainsi le coût par bit.

La division Memory de Toshiba produit déjà en masse des modules à 64 couches contenant 256 gigabits (32 gigaoctets) et continuera à développer la production de BiCS FLASH. Elle fera progresser la technologie 3D en vue d’obtenir des densités plus élevées et des procédés plus fins afin de faire face aux besoins variés du marché.

Notes :

[1] Une structure empilant des cellules de mémoire flash à la verticale sur un substrat de silicium afin d’obtenir des améliorations significatives de la densité par rapport à la mémoire flash planaire NAND, où des cellules sont formées sur le substrat de silicium.
[2] le 22 février 2017. Enquête de Toshiba.


BiCS FLASH est une marque déposée de Toshiba Corporation.

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