Toshiba Memory développe la première mémoire flash 3D QLC au monde

Atteint la plus grande capacité au monde avec 1,5 To dans un seul boîtier avec puce BiCS FLASH

Düsseldorf, Allemagne, le 28 juin 2017

Toshiba Memory Corporation, le leader mondial en solutions de mémoires, a annoncé aujourd’hui une première mondiale, le développement de la première[1] mémoire flash tridimensionnelle (3D) BiCS FLASH[2] avec une structure à puces empilées. Le tout nouveau dispositif BiCS FLASH est le premier à offrir la technologie 4 bits par cellule (quadruple-level cell, QLC), visant à dépasser la capacité des dispositifs à 3 bits par cellule (TLC), en repoussant encore les limites de la technologie des mémoires flash.
 

Les mémoires flash à multiples bits par cellule stockent les données en gérant le nombre d’électrons dans chaque cellule de la mémoire. Arriver à atteindre cette technologie QLC a présenté de nombreux défis techniques : en effet, en augmentant de un le nombre de bits par cellule avec le même nombre d’électrons a requis deux fois la précision de la technologie TLC. Toshiba Memory s’est appuyée sur ses conceptions de circuits de pointe ainsi que sur sa technologie leader du secteur des mémoires flash 3D à 64 couches pour créer la mémoire flash QLC 3D.
 

Le prototype propose la capacité la plus importante au monde[3] (768 gigabits/96 gigaoctets) avec un procédé de mémoire flash 3D à 64 couches. L’envoi de prototypes aux fournisseurs et aux vendeurs de disques SSD a commencé début juin pour évaluation et développement.
 

La mémoire flash QLC 3D permet également un dispositif de 1,5 téraoctet (To) dans un seul boîtier en utilisant une architecture empilée à 16 puces, soit la capacité la plus importante du marché[4]. Des échantillons de ce dispositif révolutionnaire seront présentés au Flash Memory Summit 2017 à Santa Clara, en Californie, États-Unis, du 7 au 10 août.
 

Toshiba Memory produit déjà en série des dispositifs à 64 pouces avec 256 Gbits (32 Go), et cette production en série continuant de se développer, l’entreprise est sûre de pouvoir garder son rôle de leader du secteur en matière de développement technologique de pointe. Engagé à répondre aux demandes croissantes en matière de haute densité, de solutions de mémoires flash à petites tailles de puces, le nouveau dispositif QLC vise des applications comme les SSD pour entreprises, les SSD pour grand-public et les cartes mémoires.
 

Notes :
 

[1] Source : Toshiba Memory Corporation, le 28 juin 2017.

[2] Une structure empilant des cellules de mémoire flash à la verticale sur un substrat de silicium afin d’obtenir des améliorations significatives de la densité par rapport à la mémoire flash planaire NAND, où des cellules sont formées sur le substrat de silicium.

[3] Source : Toshiba Memory Corporation, le 28 juin 2017.

[4] Source : Toshiba Memory Corporation, le 28 juin 2017.
 

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