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Toshiba Memory développe la première mémoire flash 3D avec technologie TSV dans le monde.
Offre une entrée et une sortie de données à grande vitesse, une faible consommation énergétique et une grande capacité.
- Düsseldorf, Allemagne, le 11 juillet 2017
Toshiba Memory Corporation, le leader mondial en solutions de mémoires, a annoncé aujourd’hui une première mondiale, le développement de la première[1] mémoire flash tridimensionnelle (3D) BiCS FLASH™[2] utilisant la technologie Through Silicon Via (TSV)[3] avec la technologie de 3 bits par cellule (cellule triple niveau (triple-level cell, TLC). L’expédition de prototypes à des fins de développement a commencé en juin et les échantillons de produits devraient être disponibles au second semestre 2017. Le prototype de ce dispositif révolutionnaire sera exposé du 7 au 10 août dans le cadre du Flash Memory Summit 2017 à Santa Clara, en Californie, États-Unis.
Les dispositifs fabriqués à l’aide de la technologie TSV comportent des vias et des électrodes verticales qui traversent les microcircuits en silicium pour assurer des connexions, une architecture qui offre une entrée et une sortie de données à grande vitesse, tout en réduisant la consommation énergétique. La performance en situation réelle a été prouvée précédemment avec l’introduction de la mémoire flash NAND 2D de Toshiba.[4]
En combinant un processus flash 3D à 48 couches et la technologie TSV, Toshiba Memory Corporation a réussi à augmenter la bande passante de programmation du produit tout en réduisant la consommation énergétique. L’efficacité énergétique[5] d’un seul boîtier est environ deux fois[6] celle de la mémoire BiCS FLASH de même génération fabriquée à l’aide de la technologie de câblage filaire. TSV BiCS FLASH permet également d’obtenir un dispositif de 1 téraoctet (To) doté d’une architecture empilée de 16 carrés dans un seul boîtier.
Toshiba Memory Corporation commercialisera BiCS FLASH avec la technologie TSV pour fournir une solution idéale pour les applications de stockage nécessitant une faible latence, une large bande passante et un rapport IOPS[7]/Watt élevé, y compris des SSD d’entreprise haut de gamme.
Caractéristiques générales (prototype)
| Type de boîtier | NAND Dual x8 BGA-152 | ||
|---|---|---|---|
| Capacité de stockage | 512 Go | 1 To | |
| Nombre de piles | 8 | 16 | |
| Dimensions externes | W | 14 mm | 14 mm |
| D | 18 mm | 18 mm | |
| H | 1,35 mm | 1,85 mm | |
| Interface | Bascule DDR | ||
| Vitesse max. de l’interface | 1 066 Mbits/s | ||
Notes :
[1] Source : Toshiba Memory Corporation, le 11 juillet 2017.
[2] Une structure empilant des cellules de mémoire flash à la verticale sur un substrat de silicium pour réaliser des améliorations de densité significatives par rapport à la mémoire flash NAND planaire où les cellules sont formées sur le substrat de silicium.
[3] Through Silicon Via : technologie dans laquelle des vias et des électrodes verticales traversent les carrés de silicium pour une connexion dans un seul boîtier.
[4] Toshiba développe la première mémoire flash NAND empilée à 16 carrés dotée de la technologie TSV
[5] Le taux de transfert de données par unité de puissance. (Mo/s/W)
[6] Comparé aux produits actuels de Toshiba Memory Corporation.
[7] Entrée Sortie par seconde : nombre d’entrées et de sorties de données pour un traitement via un port I/O par seconde. Une valeur supérieure représente une meilleure performance.
