Toshiba Memory lance la solution de mémoire de stockage XL-FLASH

La NAND la plus performante sur le marché est aussi une solution économique pour réduire la latence.

Düsseldorf, Allemagne, le 5 août 2019

Toshiba Memory Europe (TME) a annoncé aujourd’hui le lancement d’une nouvelle mémoire SCM (Storage Class Memory, ou mémoire de classe stockage) : la XL-FLASH. Basée sur la technologie innovante de mémoire flash 3D BiCS FLASH à cellules SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) à 1 bit par cellule de la société, la XL-FLASH garantit une faible latence et des performances élevées aux centres de données et au stockage d’entreprise.

Classée comme SCM (ou mémoire persistante), avec la capacité de conserver son contenu comme une mémoire flash NAND, la XL-FLASH comble l’écart de performance existant entre DRAM et NAND. Si les mémoire volatiles comme la DRAM offrent la vitesse d’accès nécessaire aux applications les plus exigeantes, cette performance a un coût élevé.

 

Au moment où le coût par bit et l’évolutivité des DRAM se stabilisent, cette nouvelle couche SCM au sein de la hiérarchie des mémoires s’attaque au problème avec une solution mémoire flash NAND non-volatile, haute-densité et économique. Alors que le marché des mémoires SCM est en croissance, le cabinet d’analyse IDC estime qu’il va dépasser les 3 milliards de dollars en 2022[1].

 

Entre la DRAM et la flash NAND, la XL-FLASH apporte un gain de vitesse, une latence réduite et des capacités de stockage supérieures, le tout à un coût inférieur à celui des DRAM traditionnelles. La XL-FLASH sera initialement déployée dans des disques SSD, mais pourrait être étendue à d’autres dispositifs connectés aux canaux mémoire par l’intermédiaire du bus DRAM, comme les futurs modules mémoire NVDIMM (Non-Volatile Dual In-line Memory Module).

Principales caractéristiques :
 

  • Puce 128 Gigabits (en boitier 2, 4 ou 8 puces)
  • Taille de page 4 Ko pour des lectures et écritures du système d’exploitation plus efficaces
  • Architecture à 16 plans pour un parallélisme plus efficace
  • Lecture et écriture de page rapides – La XL-FLASH offre une faible latence de lecture (inférieure à 5 microsecondes), et qui est environ 10 fois plus rapide que la flash TLC existante[2]


En tant qu’inventeur de la flash NAND, en tant que première entreprise à avoir lancé la mémoire flash 3D, et en tant que leader de la migration de processus, Toshiba Memory est en position idéale pour fournir de la mémoire SCM à base SLC produite grâce à un processus de fabrication mature, une évolutivité éprouvée et une fiabilité SLC à l’épreuve du temps.

" La XL-FLASH est la NAND la plus performante du marché, grâce à l’utilisation de notre BiCS FLASH en mode SLC ", a déclaré Axel Stoermann, le Vice Président de Toshiba Memory Europe GmbH. " En ne stockant qu’un bit par cellule, nous sommes en mesure d’augmenter considérablement les performances. Et comme la XL-FLASH s’appuie sur des technologies éprouvées déjà produites en série, nos clients vont pouvoir réduire leur délai de commercialisation en adoptant la XL-FLASH comme mémoire de classe stockage. "

Les premiers échantillons seront livrés en septembre 2019 et la production en série devrait démarrer en 2020.

Notes :

[1] IDC Mai 2019 - estimations du Worldwide Solid State Drive Forecast, 2019-2023, Doc # US43828819

[2] En comparaison avec la TLC NAND de TMC ayant atteint une latence de lecture d’approximativement 50 micro secondes.br>
Performance NAND la plus élevée disponible sur la base du fait qu’elle a été conçue spécifiquement (16 plans) pour offrir une performance supérieure à la TLC NAND.

Tous les autres noms de société, de produits et de services mentionnés ici sont des marques de leurs détenteurs respectifs.

Dans tous les cas où nous mentionnons un produit de Toshiba Memory : La densité du produit est identifiée sur la base de la densité de la (ou des) puce(s) au sein même du produit et non pas sur la capacité totale de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur est moindre, du fait de zones de données supplémentaires, du formatage, d’éventuels blocs défectueux, et d’autres contraintes, et elle peut également varier selon le dispositif hôte et l’application. Pour plus de détails, veuillez vous référer aux spécifications de produits applicables. La définition de 1 Gbit = 230 bits = 1 073 741 824 bits. La définition de 1 Go = 230 octets = 1 073 741 824 octets. La définition de 1 Ko = 210 octets = 1 024 octets.


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À propos de Toshiba Memory Europe GmbH

Toshiba Memory Europe GmbH est l’entreprise européenne de Toshiba Memory Corporation. Notre entreprise propose une gamme étendue de produits de mémoire flash, incluant des cartes SD, des disques USB flash et des composants de mémoire intégrée, sans oublier les disques SSD. Elle possède des bureaux en Allemagne, en France, en Espagne, en Suède et au Royaume-Uni. Son président est Masaru Takeuchi.

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