KIOXIA dévoile la BiCS FLASH de cinquième génération

Ce nouveau dispositif répond à la demande de capacité croissante d’un large éventail d’applications, notamment les appareils mobiles traditionnels, les disques SSD grand public et d’entreprise, les applications émergentes permises par les nouveaux réseaux 5G, l’intelligence artificielle ou encore les véhicules autonomes.

À l’avenir, KIOXIA appliquera cette nouvelle technologie de fabrication de 5e génération à des mémoires de plus grande capacité, tels que des dispositifs TLC de 1 Tbit (128 Go) et des dispositifs QLC (Quadruple Layer Cell, ou cellule quadruple niveau) de 1,33 Tbit .

Le procédé innovant de KIOXIA, avec un empilage de 112 couches, est associé à une technologie de circuits et de fabrication avancée permettant d’augmenter la densité des cellules d’environ 20 % par rapport au processus précédent à 96 couches. Cette nouvelle technologie réduit le coût par bit et permet d’augmenter la capacité mémoire par tranche de silicium. En outre, elle accélère de 50 % la vitesse de l’interface et offre des performances de programmation supérieures, ainsi qu’une latence inférieure en lecture.

Après avoir présenté au niveau mondial le premier^[2] prototype technologique de mémoire flash 3D en 2007, KIOXIA n’a jamais arrêté de développer les mémoires flash 3D et s’emploie également de manière active à promouvoir la BiCS FLASH pour répondre aux demandes de puces toujours plus petites mais avec des capacités plus importantes.

Cette 5e génération de BiCS FLASH a été développée avec le partenaire technologique et industriel Western Digital Corporation. Elle sera fabriquée à l’usine KIOXIA de Yokkaichi et dans la nouvelle usine de Kitakami.

Remarques :

[1] Toutes les fonctions n’ont pas été testées et les caractéristiques des appareils peuvent encore changer dans le futur.
[2] Source : KIOXIA Corporation, le 12 juin 2007.