BiCS FLASH™ | TLC & QLC

更なる大容量化を目指すBiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術

キオクシアのBiCS FLASH™は、3次元フラッシュメモリセル構造です。この立体構造により、従来の平面構造のフラッシュメモリに対して、単位面積あたりの容量を超えることができます。キオクシアのTLC 3ビット/セル 1Tb (128GB*1) BiCS FLASH™は業界初*2、書き込み/消去耐久性の信頼性を高め、書き込み速度も向上させました。また、4ビット/セル、QLC(Quadruple-Level-Cell)技術を採用した1.33Tb BiCS FLASH™デバイスを提供します。これは、3次元フラッシュメモリとしては初めてのものです*3

キオクシア BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術の特徴

  • 平面構造のNAND型フラッシュメモリと比較し、ダイあたりメモリ容量大容量化
  • 書き込み・読み出し性能の高速化
  • 隣接するメモリセル間の干渉影響を低減することによる信頼性向上
  • 低消費電力の実現

TLC(トリプルレベルセル)とQLC(クワッドレベルセル)技術

キオクシアのBiCS FLASH™ は現在までに、1Tb 3ビット/セル(TLC)製品と、より高密度な4ビット/セルのQLC技術で1.33Tb*4の容量を持つダイを16層積層する構造で2.66TBという大容量をシングルパッケージで実現しました。

特徴

  • 高容量パッケージングオプション
  • 高シングルチップメモリ容量(~2.66TB)
  • 優れたコストパフォーマンス

主な用途

  • エンタープライズ・ストレージ
  • データセンター・ストレージ
  • クライアント・コンピューティング
  • モバイル機器
  • 車載機器
  • 民生機器
  • 産業機器

メモリの高密度化・高効率化をリード

キオクシアは、SLC 技術から MLC、MLC から TLC、そして現在 TLC から QLC への移行が成功するよう、業界をリードしています。

キオクシアの QLC 技術は、高密度かつ低コストのストレージ ソリューションを必要とするアプリケーションに適しており、単一パッケージで利用可能なフットプリントを提供します。

KIOXIA QLC Technology Enables Highest Density Flash in a Single Package.
  1. 保存に利用できるメモリ容量の量ではありません。消費者が使用できる容量は、データ領域のオーバーヘッド、フォーマット、不良ブロック、その他の制約により少なくなり、また、ホストデバイスやアプリケーションによって異なる可能性があります。詳細については、該当する製品の仕様を参照してください。1Gbの定義 = 230ビット = 1,073,741,824ビット。1GB=230バイト=1,073,741,824バイトと定義されています。
  2. 2007年6月12日発表資料
  3. 2017年6月28日発表資料
  4. 2018年7月20日発表資料

用途別に製品を見たい方

車載機器、小型高性能PC、クラウドサーバーやハイパースケールデータセンター用途などに高性能、大容量、低消費電力、低遅延、高信頼性で応える当社のメモリとストレージソリューションは、新しいアプリケーション開発を支え様々な技術/製品の潜在能力を引き出します。

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