第34回中日産業技術賞「経済産業大臣賞」受賞について

2020年 12月4日
キオクシア株式会社

3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の製品写真

当社は、第34回中日産業技術賞(中日新聞社主催、経済産業省後援)において、「3次元フラッシュメモリー」が最高位の「経済産業大臣賞」を受賞したことをお知らせいたします。

中日産業技術賞は、日本経済の根幹をなす産業技術の発展に資することを目的に創設され、優れた技術・製品の開発を顕彰するものです。メモリセルを立体的に配置した3次元構造によりフラッシュメモリの大容量化を可能にしたことが高く評価されました。
当社は第28回(2014年)に「NAND型フラッシュメモリーの高速化技術」にて同賞を受賞[注1]して以来、2度目の受賞となります。

 

フラッシュメモリ市場では、2次元構造から3次元構造への置き換えが進み、3次元構造が現在の主力製品となっています。今後も当社はメモリのリーディングカンパニーとして、継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場のニーズに応えるためフラッシュメモリの開発を進めてまいります。

[注1]株式会社東芝としての受賞です。