キオクシアとウエスタンデジタル、第6世代の3次元フラッシュメモリ技術を発表

革新的なスケーリングとCMOS配置技術により、最高集積度の最先端3次元フラッシュメモリ技術を提供

東京、カリフォルニア州サンノゼ、2021年2月18日 – キオクシア株式会社とウエスタンデジタル(NASDAQ: WDC)は本日、第6世代となる162層3次元フラッシュメモリ技術を開発したことを発表しました。両社の20年にわたるジョイントベンチャーパートナーシップにおける次のマイルストーンとして、広範な技術と製造におけるさまざまなイノベーションが活用され、現時点で最高集積度の最先端3次元フラッシュメモリ技術を構築しました。

キオクシアの技術統括責任者である百冨正樹は次のように述べています。「キオクシアとウエスタンデジタルは、20年に及ぶ強力なパートナーシップを通じて、比類のない能力で製造と研究開発を実践してきました。両社で世界におけるフラッシュメモリの30%超(ビット換算)1を生産しており、卓越した容量、性能、および信頼性を魅力的なコストで提供するという私たちの使命を果たしています。私たちは、それぞれのビジネスにおいて、パーソナルエレクトロニクスからデータセンターにおよぶデータセントリックなアプリケーションに加え、5Gネットワーク、AI、自動運転システムによって可能となる新たなアプリケーションに対し、パートナーシップの価値を提供していきます。」

垂直スケーリングを超えて – 新しいアーキテクチャが新たなイノベーションを牽引

ウエスタンデジタルの技術兼戦略統括のプレジデントDr.Siva Sivaram (シバ・シバラム博士)は次のように述べています。「半導体業界全体でムーアの法則が物理的な限界に達する中で、この法則を維持している分野が1つあります。それがフラッシュメモリです。この進化を継続し世界的に高まるデータ需要に応えるためには、3次元フラッシュメモリのスケーリングに新しいアプローチを取り入れることが不可欠です。キオクシアとウエスタンデジタルは、大容量を少ない積層数でより小さなダイサイズに実現するために、この新しい世代の技術において、平面方向はもちろん垂直方向のスケーリングにも革新的な技術を採用しました。このイノベーションにより、お客様が最終的に必要とする性能、信頼性、およびコストを提供することが可能になりました。」

この第6世代3次元フラッシュメモリには、従来の8列配置したメモリホールアレイよりも先進的な構造を採用し、第5世代技術と比較して、平面方向のセルアレイ密度を最大10%向上させています。この平面方向のスケーリングの進化と、162層を垂直方向に積層したメモリを組み合わせることで、112層の第5世代と比較してダイサイズを40%削減し、コストを最適化することができました。

キオクシアとウエスタンデジタルの技術陣営は、Circuit Under Array CMOS配置技術と4プレーン動作を採用し、その結果、前世代と比較して書き込み性能が2.4倍近く向上し、読み出しレイテンシは10%短縮しました。I/O性能も66%向上したことで次世代のインターフェースに準拠し、一段と高まる転送速度の高速化ニーズへの対応が可能になりました。

以上の技術革新により、この新しい3次元フラッシュメモリ技術は、ビットあたりのコストを削減し、同様にウェーハあたりの製造ビット数を前世代と比較して70%増加させました。キオクシアとウエスタンデジタルは、お客様と多様なアプリケーションのニーズに対応するため、持続的なスケーリングを可能とすべく今後もイノベーションを推進していきます。

これらに関連する技術革新の詳細については、本日のISSCC2021における共同発表にて説明されています。

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1 キオクシア調べ (2021年2月18日時点)