4ビット/セル(QLC)技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリの開発について

2022年 1月19日
キオクシア株式会社

大容量化と高機能化が進むモバイル機器向けにPoC (Proof of Concept) 試作品サンプルの出荷を開始

4ビット/セル(QLC) 技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのPoC (Proof of Concept) 試作品

当社は、モバイル市場におけるストレージメモリの大容量化と高機能化ニーズに応えるべく開発中の、4ビット/セル(QLC)技術を用いたUFS(Universal Flash Storage[注1])Version 3.1インターフェース準拠の組み込み式フラッシュメモリ(UFS製品)のPoC (Proof of Concept) 試作品のサンプル出荷を開始します。

OEM顧客向けに、当社3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™の1テラビット(128ギガバイト) QLC製品を用いた512ギガバイトQLC UFSのPoC試作品のサンプル出荷を開始し、QLCのUFS製品がスマートフォンのフラグシップモデルなど高機能モバイル機器でも充分な性能を実現することを確認していきます。

 

当社は、UFS製品へQLC技術を採用することで、今後も大容量化が加速するモバイル市場のニーズに対応していきます。

[注1]UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。

 

*本サンプルは開発中のPoC試作品であるため、一部機能が制限されている部分があります。また、今後、仕様の変更を行う場合があります。

 

*本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。

 

*社名・製品名・サービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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メモリ営業推進統括部
Tel: 03-6478-2423
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