BiCS FLASH™ | TLC 및 QLC

KIOXIA의 확장 가능한 BiCS FLASH™ 3D Flash 메모리 기술은 메모리 용량을 최고 수준으로 향상시켰습니다.

KIOXIA의 BiCS FLASH™는 3차원(3D) 수직 플래시 메모리 셀 구조입니다. 이 구조를 통해 2D(평면) 플래시 메모리 용량을 능가할 수 있습니다. 업계 최초인^*2, KIOXIA의 TLC 3비트/셀 1Tb(128GB^*1) BiCS FLASH™는 쓰기 속도를 높이면서 쓰기/지우기의 신뢰성을 향상시킵니다. 또한 4비트/셀, 4중 수준 셀(QLC) 기술을 갖춘 1.33Tb BiCS FLASH™ 장치를 제공합니다. 이는 최초의 3D 플래시 메모리 장치입니다.^*3

BiCS FLASH™ 3D 메모리 기술에 대해 자세히 알아보기

KIOXIA BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술의 주요 특징

기존 플래시 메모리보다 다이당 스토리지 용량이 높음
더 높은 읽기/쓰기 속도 성능
2D(평면) NAND보다 높은 안정성
저전력 소비

TLC (Triple-Level Cell) 및 QLC (Quadruple-Level Cell) 기술

KIOXIA의 BiCS FLASH™는 1테라비트(Tb) 3비트/셀, Triple-level cell(TLC) 및 고용량 QLC 기술을 통해 더 큰 다이 용량을 지원합니다. KIOXIA는 다이당 1.33테라비트(Tb)의 업계 최대 용량*⁴을 달성했으며, 16다이 스택 아키텍처는 단일 패키지에서 2.66테라바이트(TB)의 탁월한 용량을 실현할 수 있습니다.

주요 기능

고밀도 패키지 옵션
높은 싱글 칩 메모리 용량 (최대 2.66TB)
유리한 비용/성과 방정식

주요 애플리케이션

엔터프라이즈 스토리지
데이터 센터 스토리지
클라이언트 컴퓨팅
모바일
자동차
컨슈머
산업용

더 큰 메모리 용량과 효율성을 향한 드라이브 주도

KIOXIA는 SLC기술을 MLC로, MLC를 TLC로, 그리고 현재는 TLC에서 QLC로의 성공적인 마이그레이션을 구상하고 준비한 최초의 업계 플레이어입니다.

KIOXIA의 QLC 기술은 고용량 저비용 스토리지 솔루션이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 오늘날의 QLC는 단일 패키지에서 가장 높은 용량으로 설치 공간을 줄입니다.

제품 용량은 최종 사용자가 데이터 저장에 사용할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 용량을 기반으로 정의됩니다. 오버헤드 데이터 영역, 포맷, 불량 블록 및 기타 제약으로 인해 소비자 사용 가능 용량이 줄어들 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있습니다. 자세한 내용은 해당 제품 사양을 참조하십시오. 1Gb의 정의 = 2³⁰비트 = 1,073,741,824비트. 1GB의 정의 = 2³⁰바이트 = 1,073,741,824 바이트.
2007년 6월 12일, 보도 자료
2017년 6월 28일, 보도 자료
2018년 7월 20일, 보도 자료

애플리케이션별 제품

고급 고성능, 고용량, 저전력, 낮은 지연 시간, 안정성 등을 제공하여 자동차 애플리케이션, 소형 고성능 지향 PC, 클라우드 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터 구축 등 다양한 기능을 제공합니다. KIOXIA 메모리 및 스토리지 솔루션은 새로운 애플리케이션을 지원하고 기존 기술이 예상 잠재력에 도달할 수 있도록 합니다.

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