3D 플래시 메모리 : BiCS FLASH™

보다 큰 대용량화를 목표로

도시바는 1987년 NAND 플래시 메모리를 발명했으며 1991년 세계 최초로 양산을 시작한 이후로 메모리소자의 배선 폭 미세화를 통하여 NAND 플래시 메모리의 용량을 지속적으로 늘려왔습니다. 그러나 계속된 미세화로 인한 여러 문제는 평면구조의 NAND 플래시 메모리 용량을 추가로 늘리는 것을 극히 어렵게 하였습니다.

이 문제를 해결하기 위해 도시바는 플래시 메모리를 수직으로 쌓아 올리는 새로운 공정을 개발하였습니다. 2007년에 세계최초로 3D 플래시 메모리 적층 기술을 발표(주1)하였고 이후 계속된 개발의 결과, 3D 플래시 메모리 : BiCS FLASHTM를 출시하게 되었습니다.

타겟 어플리케이션

사물인터넷(IoT)의 출현, 소셜 네트워킹 서비스(SNS)의 보급, 보다 더 높은 해상도의 사진과 영상물 제작으로 인해 전 세계적으로 데이터 양이

기하급수적으로 증가하고 있습니다.

정보 처리 분야에서는  엄청난 양의 데이터를 관리하는 빅데이터 시스템, 반영구적으로 저장되는 데이터 센터와 클라우드 서비스 시스템에서

실시간 성능은 대단히 중요한 요구사항으로 간주됩니다. 이 경우 고속이면서 저전력 소비로 대량의 데이터를 처리, 저장 및 관리하려면 대용량

스토리지가 필요합니다.

스마트폰, 태블릿, 메모리 카드와 그 밖의 전력에 민감한 어플리케이션의 경우는 전력 소비가 적은 스토리지에 대한 요구가 늘어나고 있습니다.

평면 NAND 플래시 메모리에 비해 많은 장점을 제공하는 BiCS 플래시는 이러한 시장의 요구사항을 충족시키는 솔루션이 될 것입니다.

BiCS 플래시의 특징

고밀도화/대용량화

수직으로 쌓은 3차원(3D) 플래시 메모리인 BiCS 플래시는 기존의 최신 기술인 2차원(2D) NAND 플래시 메모리에 비해 다이 면적 밀도가 훨씬 높습니다. 또한, BiCS 플래시는 회로 기술과 제조 공정을 모두 최적화하여 칩 크기를 줄였습니다. 2017년 6월 28일에 발표된 96-layer BiCS FLASH™는 64-layer BiCS FLASH™에 비해서 단위 면적 당 약 1.4배의 저장 용량을 제공합니다.

빠른 프로그래밍 속도

BiCS 플래시의 메모리 셀 간 간격은 2D NAND 플래시 메모리에서 보다 훨씬 넓습니다. 이를 통해 싱글 샷 프로그래밍 시퀀스의 데이터 양을 늘려 프로그래밍 속도를 향상시킬 수 있었습니다.

높은 신뢰성

BiCS 플래시의 셀 사이의 넓은 간격은 2D NAND 플래시에 비해서 셀 간 간섭을 줄이고 신뢰성을 향상시킵니다.

저전력 소비

BiCS 플래시는 2D NAND 플래시에 비해서 싱글 샷 프로그래밍 시퀀스의 데이터 양을 증가시켜 프로그래밍 데이터 단위 당 전력 소비를 줄였습니다.

*주석1: 2007년 6월 12일 현재 (Toshiba 발표)

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