Memória flash tridimensional: BiCS FLASH™

Aumentando ainda mais a capacidade da memória flash

A Toshiba inventou a memória flash NAND em 1987 e foi a primeira no mundo a começar a produzi-la em 1991. Desde então, a Toshiba aumentou continuamente a capacidade da memória flash NAND, diminuindo a regra de design e o nó da tecnologia de processo.

No entanto, a migração de processos apresenta vários desafios. Está se tornando extremamente difícil aumentar ainda mais a capacidade de memória usando a tecnologia convencional de memória flash NAND planar.

Para resolver esse problema, a Toshiba inventou um novo processo pelo qual os chips de memória flash são empilhados verticalmente. Em 2007, a Toshiba foi a primeira no mundo *Nota 1 para anunciar uma tecnologia tridimensional de empilhamento de memória flash (3D). Como resultado de um maior desenvolvimento, a Toshiba lançou a memória flash 3D: BiCS FLASH™

Aplicativos de destino

Devido ao advento da Internet das Coisas (IoT), à prevalência de serviços de redes sociais (SNSs) e à produção de fotos e vídeos em resolução cada vez maior, o volume de dados gerados em todo o mundo está crescendo exponencialmente.
 

No campo do processamento de informações, o desempenho em tempo real é considerado um requisito importante, pois uma enorme quantidade de dados deve ser gerenciada por sistemas de big data ou armazenada indefinidamente por data centers e sistemas de serviço em nuvem. Nessa situação, é necessário armazenamento de alta capacidade para processar, armazenar e gerenciar grandes quantidades de dados em alta velocidade e baixo consumo de energia.

Além disso, para smartphones, tablets, cartões de memória e outros aplicativos sensíveis à energia, a demanda por armazenamento com menor consumo de energia está aumentando.

O BiCS FLASH, que oferece muitas vantagens sobre a memória flash NAND plana, será a solução que atende aos requisitos do mercado.

Recursos do BiCS FLASH

Alta densidade e alta capacidade

A memória flash tridimensional (3D) empilhada verticalmente, BiCS FLASH, tem uma densidade de área de matriz muito mais alta em comparação com a tecnologia flash de última geração NAND de última geração, memória flash NAND bidimensional (2D). Além disso, o BiCS FLASH reduziu o tamanho do chip, otimizando a tecnologia de circuitos e o processo de fabricação. O BiCS FLASH de 96 camadas, anunciado em 28 de junho de 2017, fornece aproximadamente 1,4 vezes a capacidade de armazenamento por unidade de área em comparação com o BiCS FLASH de 64 camadas.

Rápida velocidade de programação

Os espaços entre as células de memória no BiCS FLASH são muito maiores do que na memória flash 2D NAND. Isso tornou possível melhorar a velocidade de programação aumentando a quantidade de dados para uma sequência de programação de captura única.

Alta confiabilidade

Os amplos espaços abertos do BiCS FLASH entre células de memória reduzem o acoplamento de células e melhoram a confiabilidade em comparação com a memória flash 2D NAND.

Baixo consumo de energia

O BiCS FLASH reduziu o consumo de energia por unidade de dados de programação, aumentando a quantidade de dados para uma sequência de programação de disparo único (ou seja, maior velocidade de programação) em comparação com a memória flash 2D NAND.

*Observação 1: Em 12 de junho de 2007 (anunciado pela Toshiba)

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