Memória flash tridimensional: BiCS FLASH™

Aumentando ainda mais a capacidade da memória flash

A Toshiba inventou a memória flash NAND em 1987 e foi a primeira no mundo a começar a produzi-la em 1991. Desde então, a Toshiba aumentou continuamente a capacidade da memória flash NAND, diminuindo a regra de design e o nó da tecnologia de processo.

No entanto, a migração de processos apresenta vários desafios. Está se tornando extremamente difícil aumentar ainda mais a capacidade de memória usando a tecnologia convencional de memória flash NAND planar.

Para resolver esse problema, a Toshiba inventou um novo processo pelo qual os chips de memória flash são empilhados verticalmente. Em 2007, a Toshiba foi a primeira no mundo *Nota 1 para anunciar uma tecnologia tridimensional de empilhamento de memória flash (3D). Como resultado de um maior desenvolvimento, a Toshiba lançou a memória flash 3D: BiCS FLASH™

Aplicativos de destino

Devido ao advento da Internet das Coisas (IoT), à prevalência de serviços de redes sociais (SNSs) e à produção de fotos e vídeos em resolução cada vez maior, o volume de dados gerados em todo o mundo está crescendo exponencialmente.
 

No campo do processamento de informações, o desempenho em tempo real é considerado um requisito importante, pois uma enorme quantidade de dados deve ser gerenciada por sistemas de big data ou armazenada indefinidamente por data centers e sistemas de serviço em nuvem. Nessa situação, é necessário armazenamento de alta capacidade para processar, armazenar e gerenciar grandes quantidades de dados em alta velocidade e baixo consumo de energia.

Além disso, para smartphones, tablets, cartões de memória e outros aplicativos sensíveis à energia, a demanda por armazenamento com menor consumo de energia está aumentando.

O BiCS FLASH, que oferece muitas vantagens sobre a memória flash NAND plana, será a solução que atende aos requisitos do mercado.

Recursos do BiCS FLASH

Alta densidade e alta capacidade

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A memória flash tridimensional (3D) empilhada verticalmente, BiCS FLASH, tem uma densidade de área de matriz muito mais alta em comparação com a tecnologia flash de última geração NAND de última geração, memória flash NAND bidimensional (2D). Além disso, o BiCS FLASH reduziu o tamanho do chip, otimizando a tecnologia de circuitos e o processo de fabricação. O BiCS FLASH de 96 camadas, anunciado em 28 de junho de 2017, fornece aproximadamente 1,4 vezes a capacidade de armazenamento por unidade de área em comparação com o BiCS FLASH de 64 camadas.

Rápida velocidade de programação

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Os espaços entre as células de memória no BiCS FLASH são muito maiores do que na memória flash 2D NAND. Isso tornou possível melhorar a velocidade de programação aumentando a quantidade de dados para uma sequência de programação de captura única.

Alta confiabilidade

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Os amplos espaços abertos do BiCS FLASH entre células de memória reduzem o acoplamento de células e melhoram a confiabilidade em comparação com a memória flash 2D NAND.

Baixo consumo de energia

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O BiCS FLASH reduziu o consumo de energia por unidade de dados de programação, aumentando a quantidade de dados para uma sequência de programação de disparo único (ou seja, maior velocidade de programação) em comparação com a memória flash 2D NAND.

*Observação 1: Em 12 de junho de 2007 (anunciado pela Toshiba)

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