Трехмерная флэш-память: BiCS FLASH™

Дальнейшее увеличение емкости флэш-памяти

Toshiba изобрела NAND флэш-память в 1987 году и первой в мире начала ее массовое производство в 1991 году. С тех пор Toshiba постоянно увеличивала емкость флэш-памяти NAND, уменьшая ее размеры и улучшая технологические процессы.

Однако это улучшение регулярно сталкивается с различными сложностями. Дальнейшее увеличение объема памяти становится чрезвычайно трудным с использованием обычной плоской технологии NAND флэш-памяти.

Для решения этой проблемы компания Toshiba изобрела новый процесс, при котором микросхемы флэш-памяти располагаются вертикально. В 2007 года  Toshiba первой в мире*Примечание 1 анонсировала технологию компоновки трехмерной (3D) флэш-памяти. В результате дальнейших разработок Toshiba выпустила 3D-флэш-память: BiCS FLASH™

Области применения

Благодаря появлению Интернета вещей (IoT), распространению услуг социальных сетей (SNS), росту количества фотографий и видеороликов со все более высоким разрешением, объем данных, генерируемых во всем мире, растет в геометрической прогрессии.
 

В области обработки информации производительность в реальном времени считается важным требованием, поскольку огромные объемы данных должны управляться big-data системами или храниться в течение неопределенного времени в центрах обработки данных и системах облачных сервисов. В этой ситуации требуется хранилище большой емкости для обработки, хранения и управления большими объемами данных с высокой скоростью и низким энергопотреблением.

Кроме того, для смартфонов, планшетов, карт памяти и других чувствительных к энергопотреблению устройств растет спрос на системы хранения с меньшим энергопотреблением.

BiCS FLASH, предлагающая множество преимуществ по сравнению с плоской флэш-памятью NAND, станет решением, удовлетворяющим требованиям рынка.

Особенности BiCS FLASH

Высокая плотность и высокая емкость

Вертикально скомпонованная трехмерная (3D) флэш-память, BiCS FLASH, имеет гораздо более высокую плотность площади кристалла по сравнению с предшествующей и используемой в настоящее время технологией двумерной (2D) флэш-памяти NAND. Более того, BiCS FLASH уменьшила размер микросхемы, оптимизировав как схемотехнику, так и производственный процесс. 96-слойная BiCS FLASH, анонсированная 28 июня 2017 года, обеспечивает примерно 1,4-кратное увеличение емкости хранилища на единицу площади по сравнению с 64-слойной BiCS FLASH.

Быстрая скорость записи

Пространства между ячейками памяти в BiCS FLASH намного шире, чем во флэш-памяти 2D NAND. Это позволило повысить скорость записи за счет увеличения объема данных для разовой последовательности записи.

Высокая надежность

Широкие открытые пространства между ячейками BiCS FLASH памяти уменьшают связь между ячейками и повышают надежность по сравнению с флэш-памятью 2D NAND.

Низкое энергопотребление

BiCS FLASH уменьшила энергопотребление на единицу записываемых данных за счет увеличения объема данных для разовой последовательности записи (т. е. более высокой скорости записи) по сравнению с флэш-памятью 2D NAND.

*Примечание 1: По состоянию на 12 июня 2007 г. (объявлено Toshiba)

  • Все другие названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые в данном документе, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

PAGETOP