Трехмерная флэш-память: BiCS FLASH™

Дальнейшее увеличение емкости флэш-памяти

Toshiba изобрела NAND флэш-память в 1987 году и первой в мире начала ее массовое производство в 1991 году. С тех пор Toshiba постоянно увеличивала емкость флэш-памяти NAND, уменьшая ее размеры и улучшая технологические процессы.

Однако это улучшение регулярно сталкивается с различными сложностями. Дальнейшее увеличение объема памяти становится чрезвычайно трудным с использованием обычной плоской технологии NAND флэш-памяти.

Для решения этой проблемы компания Toshiba изобрела новый процесс, при котором микросхемы флэш-памяти располагаются вертикально. В 2007 года  Toshiba первой в мире*Примечание 1 анонсировала технологию компоновки трехмерной (3D) флэш-памяти. В результате дальнейших разработок Toshiba выпустила 3D-флэш-память: BiCS FLASH™

Области применения

Благодаря появлению Интернета вещей (IoT), распространению услуг социальных сетей (SNS), росту количества фотографий и видеороликов со все более высоким разрешением, объем данных, генерируемых во всем мире, растет в геометрической прогрессии.
 

В области обработки информации производительность в реальном времени считается важным требованием, поскольку огромные объемы данных должны управляться big-data системами или храниться в течение неопределенного времени в центрах обработки данных и системах облачных сервисов. В этой ситуации требуется хранилище большой емкости для обработки, хранения и управления большими объемами данных с высокой скоростью и низким энергопотреблением.

Кроме того, для смартфонов, планшетов, карт памяти и других чувствительных к энергопотреблению устройств растет спрос на системы хранения с меньшим энергопотреблением.

BiCS FLASH, предлагающая множество преимуществ по сравнению с плоской флэш-памятью NAND, станет решением, удовлетворяющим требованиям рынка.

Особенности BiCS FLASH

Высокая плотность и высокая емкость

bics-image1

Вертикально скомпонованная трехмерная (3D) флэш-память, BiCS FLASH, имеет гораздо более высокую плотность площади кристалла по сравнению с предшествующей и используемой в настоящее время технологией двумерной (2D) флэш-памяти NAND. Более того, BiCS FLASH уменьшила размер микросхемы, оптимизировав как схемотехнику, так и производственный процесс. 96-слойная BiCS FLASH, анонсированная 28 июня 2017 года, обеспечивает примерно 1,4-кратное увеличение емкости хранилища на единицу площади по сравнению с 64-слойной BiCS FLASH.

Быстрая скорость записи

bics-image2

Пространства между ячейками памяти в BiCS FLASH намного шире, чем во флэш-памяти 2D NAND. Это позволило повысить скорость записи за счет увеличения объема данных для разовой последовательности записи.

Высокая надежность

bics-image3

Широкие открытые пространства между ячейками BiCS FLASH памяти уменьшают связь между ячейками и повышают надежность по сравнению с флэш-памятью 2D NAND.

Низкое энергопотребление

bics-image4

BiCS FLASH уменьшила энергопотребление на единицу записываемых данных за счет увеличения объема данных для разовой последовательности записи (т. е. более высокой скорости записи) по сравнению с флэш-памятью 2D NAND.

*Примечание 1: По состоянию на 12 июня 2007 г. (объявлено Toshiba)

  • Все другие названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые в данном документе, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

PAGETOP