Toshiba Memory разрабатывает первую в мире 3D флеш-память с технологией TSV

Обеспечение высокой скорости передачи данных, низкое энергопотребление, большая емкость

г. Дюссельдорф, Германия, 11 июля 2017 г.

Toshiba Memory Corporation, мировой лидер в области цифровых устройств хранения данных, сегодня объявила о разработке первой в мире[1] трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH[2] с использованием Through Silicon Via (TSV)[3], технологии 3-бита-на-ячейку (трехуровневая ячейка, TLC). Поставки опытных образцов для разработчиков начались в июне, а образцы продукции планируется выпустить во второй половине 2017 года. Прототип этого новаторского устройства будет продемонстрирован на Flash Memory Summit 2017, который пройдет 7-10 августа в г. Санта-Клара, штат Калифорния, США.

Устройства, изготовленные по технологии TSV, имеют архитектуру, представляющую собой вертикальные электроды и электрические соединения проходящие через кремниевые пластины, которая позволяет реализовать высокоскоростной ввод и вывод данных при сниженном энергопотреблении. Реальная производительность была проверена ранее, с введением NAND 2D флэш-памяти от Toshiba[4].
 

Сочетание 48-слойной 3D флэш-технологии и технологии TSV позволило Toshiba Memory Corporation успешно увеличить пропускную способность в режиме записи и одновременно с этим достигнуть низкого энергопотребления. Энергетическая эффективность[5] одного устройства примерно в два раза[6] выше, чем у устройства, использующего BiCS FLASH память того же поколения, изготовленного по технологии распайки контактов. TSV BiCS FLASH также позволяет создать 1-терабайтное (ТБ) устройство с архитектурой 16-чиповой объемной компоновки в одном корпусе.
 

Toshiba Memory Corporation будет запускать в серийное производство BiCS FLASH с технологией TSV, чтобы предоставить идеальное решение для применений в области хранения данных, требующих низкой задержки, высокой пропускной способности и высоких IOPS[7] на Вт потребляемой энергии, включая корпоративные SSD высочайшего класса.
 

Основные характеристики (прототип)
 

Тип корпуса

NAND Dual x8 BGA-152

Емкость устройства

512 ГБ

1 TB

Количество элементов

8

16

Внешние размеры

W

14 мм

14 мм

D

18 мм

18 мм

H

1,35 мм

1.85 мм

Интерфейс

Toggle DDR

Toggle DDR

Максимальная скорость интерфейса

1066 Мбит/c

Примечания:
 

[1] Источник: Toshiba Memory Corporation, по состоянию на 11 июля 2017 г.

[2] Структура, создаваемая объемной компоновкой чипов флэш-памяти для существенного увеличения плотности по сравнению с планарной флэш-памятью NAND, где ячейки располагаются на одной кремниевой подложке.

[3] Through Silicon Via: технология с вертикальными электродами и специальными отверстиями в кремниевые пластинах для проходящих сквозь них электрических соединений в едином корпусе.

[4] "Toshiba разрабатывает первую в мире 16-чиповую NAND флэш-память с технологией TSV"

http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html

[5] Скорость передачи данных на единицу мощности. (MБ/с/Вт)

[6] По сравнению с текущими продуктами Toshiba Memory Corporation.

[7] Input Output per Second: количество операций ввода-вывода, обрабатываемых через порт ввода-вывода в секунду. Большее значение означает лучшую производительность.