铠侠株式会社推出第五代BiCS FLASH™

January 31, 2020

KIOXIA Corporation

新一代3D闪存增加层数,提高容量,扩展带宽

BiCS FLASH™ three-dimensional (3D) flash memory

东京 - 存储解决方案领域的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今日宣布,该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020年第一季度为特定应用提供样品,新产品具有512 Gb(64千兆字节)容量并采用TLC(每单元3位数据)技术*1。这款新产品旨在满足对各种应用不断增长的位需求,包括传统移动设备、消费类和企业类固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。


展望未来,铠侠将其新的第五代工艺技术应用于更大容量的闪存产品,例如1 Tb(128千兆字节)TLC和1.33 Tb QLC(每单元4位数据)产品。

 

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合,与96层堆叠工艺相比,将存储单元阵列密度提高约20%。因此,每片硅晶圆可以制造的存储容量更高,从而也降低了每位的成本(Bit-cost)。此外,它将接口速度提高50%,并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

 

自2007率先发布采用3D堆叠结构的闪存以来*2 ,铠侠一直在推进3D闪存的开发,并积极推广BiCS FLASH™,以满足对更小芯片尺寸和更大容量的需求。

 

第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)共同开发的。它将在铠侠的四日市工厂和新建的北上工厂生产。

 

注:

1. 并非所有功能都已经过测试,且设备特性将来可能变更。

2. 来源:铠侠株式会社,截至2007年6月12日。

* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is correct on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.

PAGETOP