鎧俠於 2020 年榮獲全國發明表揚計畫的恩賜發明獎

September 24, 2020
Kioxia Corporation

【2020 年 9 月 24 日東京訊】全球記憶體解決方案領導者-鎧俠株式會社,今日宣布該公司因高密度 3D 快閃記憶體裝置及其製造方法 (專利編號 5016832) 榮獲全國發明表揚計畫頒發 2020 年恩賜發明獎 (Imperial Invention Prize)。這項發明大幅提高記憶體容量並降低製造成本。

該獎項由日本發明與創新協會 (Japan Institute of Invention and Innovation) 舉辦,表明快閃記憶體對於各種應用 (包含智慧型手機和資料中心) 的資料儲存均十分重要。對於表現優秀且已經達成或預計達成重要成果的出色發明、構思或設計,全國發明表揚計畫均予以獎項肯定。恩賜發明獎是該計畫中等級最高的獎項。

得獎者 ((除另有說明外,其餘均為鎧俠員工)
恩賜發明賞:

  • 先進記憶體開發中心小組經理 - 鬼頭 傑
  • 記憶體技術研發部門資深專家 - 青地 英明
  • 先進記憶體開發中心總經理助理 - 勝又 竜太
  • 記憶體開發策略部門首席專家 - 木藤 大
  • 先進記憶體開發中心首席專家 - 田中 啓安
  • 前東芝株式會社 - 仁田山 晃寛

發明實施功績獎:

  • 總裁暨執行長 - 早坂 伸夫
仁田山 晃寛
仁田山 晃寛

鎧俠的三維快閃記憶體技術已經獲得中部地方發明表揚計畫頒發 2019 年日本文部科學大臣獎,也獲得 2021 年 IEEE Andrew S. Grove 獎項,對鎧俠開創研發高密度、三維快閃記憶體並持續作出貢獻予以肯定。

傳統二維快閃記憶體技術的儲存單元以二維結構排列,其中作為儲存資料最小單元的記憶體儲存單元依平面方向放置。將記憶體儲存單元小型化會增加每單位面積的記憶體容量,能提高產能同時降低生產成本。不過,小型化快要到達其物理限制了。

鎧俠屢獲殊榮的三維快閃記憶體技術是一種突破性方法,能大幅簡化垂直堆疊記憶體儲存單元來實現高密度 3D 快閃記憶體的製程。傳統堆疊需要重複沉積和圖案化製程來製造記憶體單元陣列,而這項技術首先堆疊用於製造記憶體儲存單元的材料,然後使用一次性圖案化製程同時製造每個單元,讓加工步驟大幅減少。

高容量、高效能的三維快閃記憶體現在是市場上的主要技術。繼 2015 年 48 層 BiCS FLASH™ 三維快閃記憶體商業化之後,鎧俠已進一步開始生產 64 層和 96 層超高密度快閃記憶體。