鎧俠推出全新 3.1 版 UFS 嵌入式快閃記憶體裝置,突破效能界限

2021 年 8 月 11 日
鎧俠株式會社

採用第五代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體;為著重效能的應用場景提供更薄的封裝規格及更快的讀寫速度

UFS Ver. 3.1 embedded flash memory devices

【東京訊】全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社,今日宣布最新一代 256 和 512 GB 通用快閃記憶體 (UFS) 3.1 版嵌入式快閃記憶體裝置已開始樣品生產。新產品採用 0.8 和 1.0 公釐高的封裝,隨機讀取效能提高約 30%,隨機寫入效能提高約 40% [1],比前代產品更薄 [2]、更快速。鎧俠全新 UFS 裝置採用該公司高效能的第五代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體,專為最先進的智慧型手機等各種行動應用打造。

許多應用因注重功耗及空間而選擇使用嵌入式快閃記憶體,這類型的應用對追求更高效能和高容量的需求持續增加,而UFS 逐漸成為首選解決方案。從總 GB 數的角度來看,UFS 現在佔據了大部分與 e-MMC 相關的需求。根據 Forward Insights[3] 的分析,若結合全球對 UFS 和 e-MMC 的整體 GB 需求,今年幾乎 70% 的需求是來自於UFS,此需求也會持續成長。

全新 UFS 256GB 和 512GB 裝置的增進功能如下:

  • 隨機讀取效能提升約 30%,隨機寫入效能提升約 40%。
  • 主機效能增強器 (HPB) 2.0 版:利用主機端記憶體儲存邏輯對實體轉換表,藉此提高隨機讀取效能。HPB 1.0 版僅支援 4KB 區塊大小的存取,但 HPB 2.0 版支援更大的存取量,進而提高隨機讀取效能。
  • 256GB 採用更薄的封裝,高度僅 0.8 公釐。


[1] 相較於鎧俠前一代 256/512GB UFS。
[2] 針對 256GB 封裝厚度,係指相較於鎧俠前一代 256GB UFS 的結果。
[3] Forward Insights「NAND Quarterly Insights」(NAND 季度洞察) 第二季 (2021 年)

 

視主機裝置、讀寫狀況及檔案大小而定,讀寫速度可能不同。

 

每當提及鎧俠產品:產品密度的識別是根據產品內的記憶體晶片密度,而非終端使用者可用來儲存資料的記憶體容量。使用者可用容量會因為額外負荷資料區域、格式化、故障區塊和其他限制而減少,也可能依據不同的主機裝置和應用而產生差異。如需詳細資訊,請參閱適用的產品規格。1KB 定義 = 2^10 位元組 = 1,024 位元組。1Gb 定義 = 2^30 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 定義 = 2^30 位元組 = 1,073,741,824 位元組。1Tb 定義 = 2^40 位元 = 1,099,511,627,776 位元。

 

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