3D 快閃記憶體: BiCS FLASH™

快閃記憶體容量再升級

自NAND 快閃記憶體於 1987 年成功研發,並於 1991 年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程,不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。

然而,製程的微縮面臨了許多挑戰。繼續運用傳統平面製程提升 NAND 快閃記憶體的容量,時至今日已經非常困難。

為了解決這個問題,新的製程將快閃記憶體晶片垂直堆疊,並在2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術。爾後,進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體: BiCS FLASH™

應用目標

由於物聯網 (IoT) 的出現、社群網路服務的盛行,以及高畫質的照片及影片製作,全球資料量正歷經可觀的指數成長。

資訊處理領域很重視即時運算的要求,因為大量資料必須經由大數據系統管理或儲存於數據中心和雲端服務系統中。在這樣的情況,必須仰賴高容量的儲存裝置才能高速、低能耗地進行資料處理、儲存以及管理。

此外,因應智慧型手機、平板、記憶卡,以及其他耗能應用之所需,節省能源的儲存裝置,需求愈來愈迫切。

BiCS FLASH 擁有的諸多優點,許多傳統的平面 NAND 快閃記憶體均無法企及,堪稱滿足市場需求的最佳選項。

BiCS FLASH 的特色

高密度與高容量

身為垂直堆疊的 3D 快閃記憶體,BiCS FLASH 的顆粒密度遠遠勝過前一代的平面記憶體。此外,BiCS FLASH 更優化了電路技術及製程,繼續微縮了晶片尺寸。96 層 BiCS FLASH 的單位面積儲存空間,已達 64 層 BiCS FLASH 的 1.4 倍。

高寫入速度

BiCS FLASH 記憶體單元之間的間隔比 2D NAND大得多。如此一來,可以改善單次寫入序列所處理的資料量,加快寫入速度。

高可靠性

BiCS FLASH 記憶體單元之間的間隔提升,減少了單元之間的重疊,使其可靠穩定程度優於 2D NAND 快閃記憶體。

低耗電量

由於 BiCS FLASH 提升了單次寫入序列所處理的資料量,加快運行速度,每單位處理資料的耗費能源自然低於比 2D NAND 快閃記憶體。

  • *1 於 2007 年 6 月 12 日 (由東芝發表)
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